واستناداً لهاد الفقرة، عافاك قدم قائمة بالبوابات ديال العمليات اللي كايستعملو في تحضير المواد النصف موصلة للدوائر المتكاملة.
Context:هناك مجموعة من العمليات التي تستخدم لإعداد المواد شبه الموصلة لICs. واحدة من العمليات تسمى الأكسدة الحرارية، والتي تشكل ثاني أكسيد السيليكون على سطح السيليكون. يستخدم هذا كمعزل للبوابة وأكسيد الحقل. وتسمى العمليات الأخرى قناع ضوئي والتصوير الحجري الضوئي. هاد العملية هي اللي بتخلق الأنماط على الدائرة في الدائرة المتكاملة. يستخدم الضوء فوق البنفسجي جنبًا إلى جنب مع طبقة مقاومة للضوء لخلق تغيير كيميائي يولد أنماط الدوائرة.  الحفر هي العملية التالية المطلوبة. يمكن الآن نقش الجزء من السيليكون الذي لم يغطيه طبقة المقاومة للضوء من الخطوة السابقة. العملية الرئيسية المستخدمة عادة اليوم تسمى حفر البلازما. عادةً ما يتضمن النقش بالبلازما غاز النقش يضخ في حجرة ضغط منخفض لإنشاء البلازما. الغاز الشائع هو الكلوروفلووروكربون، أو المعروف بشكل عام باسم الفريون. التوجه الراديوي عالي التردد بين الكاثود والأنود هو اللي يخلق البلازما في الغرفة. تقع رقاقة السيليكون على الكاثود، والتي تتسبب في ضربها الأيونات المشحونة إيجابياً والتي يتم إطلاقها من البلازما. النتيجة هي السيليكون المخطوط بشكل غير متجانس.  آخر عملية تسمى الانتشار. وهذه هي العملية التي تمنح المواد شبه الموصلة خصائصها شبه الموصلة المرجوة. كيتعرف بيها بردو باسم المنشطات. وتقدم العملية ذرة غير نقية إلى النظام، والتي تخلق تقاطع p<unk>n. عشان يتحصلوا على الذرات الغير نقية المضمنة في الوافير السيليكوني، يتم أولاً وضع الوافير في غرفة حرارة 1,100 درجة مئوية. تتم حقن الذرات فيها وتنتشر في النهاية مع السيليكون. بعد الانتهاء من العملية وبلغ السيليكون درجة حرارة الغرفة، يتم إجراء عملية الدعم والمواد شبه الموصلة جاهزة للاستخدام في الدائرة المتكاملة.
- التأكسيد الحراري -الماسك الفوتوغرافي/اللفوتوليتوغرافي -الحفر (بالتحديد الحفر بالبلازما) -الانتشار/التعاطي