MOSFET
Transistor hiệu ứng trường kim loại - oxit bán dẫn, viết tắt theo tiếng Anh là MOSFET ("Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor") là thuật ngữ chỉ các transistor hiệu ứng trường FET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic) tạo ra lớp cách điện mỏng giữa cực cổng ("gate") kim loại với vùng bán dẫn hoạt động nối giữa cực nguồn ("source") và cực máng ("drain").

MOSFET được sử dụng rất phổ biến trong cả các mạch kỹ thuật số và các mạch tương tự. Giống như FET, MOSFET có hai lớp chính chia theo kiểu kênh dẫn được sử dụng:
* N-MOSFET: Điện áp điều khiển mở Mosfet là Ugs >0. Điện áp điều khiển đóng là Ugs<=0. Dòng điện sẽ đi từ D xuống S
* P-MOSFET: Điện áp điều khiển mở Mosfet là Ugs <0. Dòng điện sẽ đi từ S đến D, điện áp khóa là Ugs~0.

Từ kiến trúc cơ bản của MOSFET có nhiều biến thể dẫn xuất khác nhau để tạo ra phần tử có đặc trưng thích hợp với các ứng dụng cụ thể. Ví dụ MOSFET nhiều cổng hay MuGFET ("multigate field-effect transistor"), MESFET ("metal–semiconductor field-effect transistor"), MOSFET công suất lớn ("Power MOSFET")...

Do bố trí cực cổng cách ly mà MOSFET còn được gọi là "transistor hiệu ứng trường cổng cách ly" ("Insulated Gate Field-effect Transistor"), viết tắt là IGFET. Tên gọi "IGFET" sát nghĩa hơn với các FET có thực thể điều khiển ở cực cổng không phải là kim loại, mà là các kết cấu tích lũy điện tích khác, như "dung dịch điện phân" trong các FET cảm biến sinh học (Bio-FET), FET cảm biến enzym (ENFET), FET cảm biến pH (pHFET), FET cảm biến khí (GASFET)...

Thông thường chất bán dẫn được chọn là silic nhưng có một số hãng vẫn sản xuất các vi mạch bán dẫn từ hỗn hợp của silic và germani (SiGe), ví dụ như hãng IBM. Ngoài silic và germani còn có một số chất bán dẫn khác như gali arsenua có đặc tính điện tốt hơn nhưng lại không thể tạo nên các lớp oxide phù hợp nên không thể dùng để chế tạo các transistor MOSFET.

nhỏ| Mặt cắt ngang của một transistor NMOS
thumb| 300px| Đặc tuyến V-A của MOSFET kênh N.
thumb| upright=1.6| Mô phỏng sự hình thành kênh nghịch đảo (mật độ điện tử) và đạt được điện áp ngưỡng (IV) trong MOSFET dây nano. Lưu ý: điện áp ngưỡng cho thiết bị này ở khoảng 0,45 V
Q1860
tiếng Anh
Concept
Q176097
transistor hiệu ứng trường
Concept
Q173156
mạch kỹ thuật số
Concept
Q174925
mạch tương tự
Concept
Q6119749
MOSFET nhiều cổng
Concept
Q6119749
MuGFET
Concept
None
MESFET
UNK
Q210793
IGFET
MISC
Q167676
cảm biến
Concept
Q420
sinh học
Concept
Q25303836
Bio-FET
UNK
None
ENFET
UNK
None
pHFET
UNK
None
GASFET
UNK
Q11456
chất bán dẫn
Concept
Q670
silic
Concept
Q867
germani
Concept
Q37156
IBM
ORG
Q422819
gali arsenua
Concept
nhỏ| Mặt cắt ngang của một transistor NMOS
UNK
thumb| 300px| Đặc tuyến V-A của MOSFET kênh N.
UNK
thumb| upright=1.6| Mô phỏng sự hình thành kênh nghịch đảo (mật độ điện tử) và đạt được điện áp ngưỡng (IV) trong MOSFET dây nano. Lưu ý: điện áp ngưỡng cho thiết bị này ở khoảng 0,45 V
UNK
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
Q210793
MOSFET
MISC
0^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
0
NUMBER
0^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
0
NUMBER
0^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
0
NUMBER
0^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
0
NUMBER
+300^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
300
NUMBER
+1.6^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
1.6
NUMBER
+0.45^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
0,45
NUMBER
subclass of
subclass of
subclass of
subclass of
subclass of
subclass of