Гетероструктура
thumb|Гетероструктура

Гетерострукту́ра — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется так называемый гетеропереход, в котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей свободой выбора в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Гетероструктуры дают возможность управления фундаментальными параметрами в полупроводниковых кристаллах и приборах: шириной запрещенной зоны, эффективными массами носителей и их подвижностями, показателем преломления, электронным энергетическим спектром и т. д. 

Для выращивания гетероструктур используют много различных методов, среди которых можно выделить два основных:
* Молекулярно-лучевая эпитаксия,
* Осаждение из газообразной фазы (MOCVD).

Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с высокой точностью (до атомного монослоя). Второй же не имеет высокой точности, но по сравнению с первым методом обладает более высокой производительностью.

За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алфёров (Россия) и Герберт Крёмер (США) были удостоены Нобелевской премии в 2000 году.

В рамках программы развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.
thumb|Гетероструктура
UNK
Q11456
полупроводник
Concept
Q4371040
подложке
UNK
Q806352
запрещённой зоны
Concept
Q1616270
гетеропереход
Concept
Q51368
вырожденного
Concept
Q232381
двумерного электронного газа
Concept
Q4737729
гомоструктур
Concept
Q528769
зоны проводимости
UNK
Q1137659
валентной зоны
Concept
Q898542
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Concept
Q1924991
Осаждение из газообразной фазы
UNK
None
монослоя
UNK
Q183279
Жорес Алфёров
PER
Q159
Россия
LOC
Q71016
Герберт Крёмер
PER
Q30
США
LOC
Q7191
Нобелевской премии
Concept
Q11468
нанотехнологий
Concept
Q774583
солнечных батарей
Concept
Q25504
светодиод
Concept
Q1974021
Гетероструктура
UNK
2000-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
в 2000
DATE
country of citizenship
country of citizenship
diplomatic relation