Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

Es gibt vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschlüssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss.

Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric.
Q11456
Halbleiter
Concept
Q593143
Leistungselektronik
Concept
Q188946
Bipolartransistor
Concept
Q2309279
Sperrspannung
UNK
Q176097
Feldeffekttransistor
Concept
Q1130571
Dotierung
UNK
Q4834071
B. Jayant Baliga
PER
Q54173
General Electric
ORG
Q176110
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Concept
subclass of
opposite of
opposite of