Si貫通電極
Si貫通電極（シリコンかんつうでんきょく、through-silicon via、TSV）とは、電子部品である半導体の実装技術の1つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極のことである。複数枚のチップを積ねて1つのパッケージに収める場合に、従来ではワイヤ・ボンディングで行なわれている上下のチップ同士の接続をこの貫通電極で行なう。

こういった電極は、構造の点では従来のプリント基板でビアと呼ばれているものとスケールを除けば同様のものであり、この「シリコン貫通電極」又は「TSV」は、「シリコン貫通ビア」や「TSS」（Through-Silicon Stacking、Thru-Silicon Stacking）とも呼ばれる。

TSVは3次元実装パッケージや3次元集積回路を作るのに重要な技術である。
Q11653
電子部品
Concept
Q11456
半導体
Concept
Q670
シリコン
Concept
Q750783
ワイヤ・ボンディング
UNK
Q173350
プリント基板
Concept
None
ビア
UNK
Q80831
集積回路
Concept
Q1578120
Si貫通電極
UNK
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