基板工程
基板工程またはフロントエンド（front-end-of-line、FEOL）とは半導体デバイス製造の最初の部分である。
基板工程では、それぞれのデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗など）が半導体にパターンとして形成される。 

# 使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。
# 素子分離（LOCOSやシャロートレンチアイソレーション）
# ウェル形成
# ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極)
# サイドウォールスペーサー形成
# ソース・ドレイン形成
# キャパシタ形成（DRAM、FeRAMの場合）
Q1570432
半導体デバイス製造
Concept
Q5339
トランジスタ
Concept
Q5322
キャパシタ
Concept
Q5321
抵抗
Concept
Q11456
半導体
Concept
Q267131
ウェハー
Concept
Q1069404
化学機械研磨
UNK
Q1798244
LOCOS
UNK
Q1424524
シャロートレンチアイソレーション
Concept
None
ウェル
UNK
Q176097
ゲート
Concept
Q5527011
ゲート絶縁膜
UNK
Q6822740
金属ゲート
UNK
Q176097
ソース・ドレイン
Concept
Q189396
DRAM
Concept
Q703656
FeRAM
MISC
Q5505856
基板工程
Concept
Q5505856
基板工程
Concept
made from material