セレン化ビスマス(III)
セレン化ビスマス(III)（セレンかビスマス、）はビスマスのセレン化物で、化学式Bi2Se3で表される無機化合物。半導体や熱電材料として利用される。化学量論的にはセレン化ビスマスは0.3eVのバンドギャップを持つ半導体であるが、天然由来のセレンは半金属の性質を持ち、ドーパントとして機能する。トポロジカル絶縁体としての性質も今後の研究課題である。
Q942
ビスマス
Concept
Q876
セレン化物
Concept
Q190065
無機化合物
Concept
Q11456
半導体
Concept
Q552456
熱電材料
Concept
Q213185
化学量論
Concept
Q83327
eV
Concept
Q19596
半金属
Concept
Q15119237
ドーパント
Concept
Q1488689
トポロジカル絶縁体
Concept
Q410462
セレン化ビスマス(III)
Concept
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