バックグラインド
バックグラインドとは、集積回路（IC）の積み重ねや高密度にパッケージができるようにウェハーを薄くする半導体デバイス製造の工程のこと。

ICは多くのプロセスを経て半導体ウェハー上に作られる。
現在主に使われているシリコンウェハーの直径は200mmと300mm、厚さはおよそ750μmである。
厚みは、最低限の機械的安定性を保証するため、また高温処理でのウェハーの反りを避けるために必要である。

スマートカード、USBメモリスティック、スマートフォン、携帯音楽プレイヤーや超小型電気製品は、様々な構成部品のサイズを最小化する必要がある。
そのためウェハーの裏面は（個々のマイクロチップの分離）の前にグラインドされる。
75μmから50μmに薄くされたウェハーが一般的に用いられる。
グラインドの前にUV硬化の接着剤で貼り付けたテープで保護することで、バックグラインド中のダメージからウェハー表面を守り、またグラインド液や破片の混入によるウェハー表面汚染を防ぐ。
またプロセス中はウェハーを脱イオン水で洗浄し、汚染を防ぐ。
このプロセスは「backlap」、「backfinish」、または「wafer thinning」とも呼ばれる。
Q80831
集積回路
Concept
Q1570432
半導体デバイス製造
Concept
Q267131
ウェハー
Concept
Q11308308
シリコンウェハー
Concept
Q175821
μm
Concept
Q6312578
脱イオン水
UNK
Q7959420
バックグラインド
UNK
Q7959420
バックグラインド
UNK
2020-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
20
DATE
2030-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
30
DATE
1975-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
75
DATE
1975-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
75
DATE
2050-01-01T00:00:00Z^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime
50
DATE
+200^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
200
NUMBER
+300^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
300
NUMBER
+750^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
750
NUMBER
+75^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
75
NUMBER
+50^^http://www.w3.org/2001/XMLSchema#decimal
50
NUMBER
subclass of