ファーネスアニール
ファーネスアニール（Furnace anneal）とは半導体デバイス製造で用いられるプロセスで、電気的特性に影響を与えるため多数の半導体ウェハーの加熱から成る。
熱処理は異なる効果のために考案されている。ウェハーを加熱する理由として、ドーパントを活性化するため、薄膜-薄膜界面または薄膜-ウェハー基板界面を変化させるため、堆積した薄膜の密度を高めるため、成長させた薄膜の状態を変化させるため、イオン注入によるダメージを回復させるため、ドーパントをある薄膜から別の薄膜へ、またはある薄膜からシリコン基板へ移動させるため、などがある。
イオン注入プロセスの間、結晶基板は高エネルギーイオンの衝突によってダメージを受ける。
ダメージは、結晶を高温にすることで回復することができる。
このプロセスは、アニーリングと呼ばれる。
ファーネスアニールは、酸化など他のファーネスプロセスへ組み込まれたり、それ自身で１つのプロセスとなる。

ファーネスアニールは、特に半導体ウェハーを加熱するために作られた装置によって行われる。
ファーネスは一度に多くのウェハーを処理することができるが、各プロセスは数時間から一日のあいだ続く。
ファーネスアニールは、徐々にラピッドサーマルアニール（Rapid Thermal Anneal、RTA）またはラピッドサーマルプロセス（Rapid thermal processing、RTP）に置き換わりつつある。
この理由は、ファーネスの比較的長い熱サイクルによって、活性化させるドーパント（特にホウ素）が意図よりもさらに拡散してしまうためである。
RTPまたはRTAでは、各ウェハーの熱サイクルをファーネスアニールの数時間から数分にすることで、ドーパントが拡散しないようにしている。
Q1570432
半導体デバイス製造
Concept
Q11456
半導体
Concept
Q267131
ウェハー
Concept
Q15119237
ドーパント
Concept
Q1436752
イオン注入
UNK
Q11456
半導体
Concept
Q2131545
ラピッドサーマルアニール
UNK
Q2131545
ラピッドサーマルプロセス
UNK
Q5509628
ファーネスアニール
UNK
Q5509628
ファーネスアニール
UNK
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ファーネスアニール
UNK
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ファーネスアニール
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ファーネスアニール
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