BrowseInterestsStay InformedCareerPersonal GrowthFiction & BiographiesHealth & FitnessLifestyleCultureBrowse byBooksAudiobooksNews & MagazinesSheet MusicBrowse allUploadSign inJoinINSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SERGIPE Curso: Eletromecânica ELETRÔNICA INDUSTRIAL Lagarto-2010 PUT e UJT Relatórioelaborado como requisito à avaliação do segundo bimestre,da disciplina de Eletrônica Indústrial. Lagarto-2010 SUMÁRIO 1. Introdução.....................................................................................02 1. Objetivo.........................................................................................02 1. Desenvolvimento.............................................................02 1. Transistor UJT..............................................................................04 1. Oscilador de Relaxação..............................................................05 1. Testando um Transistor Unijunção............................................07 1. Transistor PUT.............................................................................08 1. Comparativo UJT e PUT.............................................................10 1. Conclusão...................................................................................11 Anexos.............................................................................................12 Bibliografia......................................................................................14 1. Introdução O transistor foi criado nos laboratórios da Bell Telephone em dezembro de 1947. A invenção desse componente é atribuída a três cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas características intrínsecas: "resistor de transferência" (transfer + resistor). Em 1955 iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao contrario do germânio, é mais abundante na natureza. 1. Objetivo Explicar o princípio de funcionamento, dos transistores unijunção UJT e PUT, e sua aplicabilidade, por intermédio de circuitos osciladores de relaxação. 1. Desenvolvimento 1. Estudo dos Transistores Dispositivo de 3 terminais (alguns possuem mais) que pode funcionar como amplificador ou como chave.
o gate: para transistores FET e PUT. Tipos de Transistores BIPOLARES (mais comum) FET (transistor de efeito de campo). suas características elétricas são completamente diferentes. fracamente dopado. e as bases (B1 e B2) ligadas as extremidades do material N(fig 1. E na região de corte ou saturação ele é usado como chave. UJT (transistor de unijunção). o emissor: para transistores UJT. Ele é um gerador de pulsos estreitos de alta potência e de curta duração. o emissor (E) ligado ao cristal P. PUT(transistor unijunção programável) 1. com uma junção P. IGBT(transistor bipolar de porta isolada). Uso para o Transistor O transistor quando opera na região linear de sua reta de carga é usado como amplificador. Possuindo três terminais. O encapsulamento do UJT tem a forma de um transistor comum. B1 e B2: para transistores UJT. 1. B) O terceiro terminal que não foi usado na prova acima é: a base: para transistores bipolares. pode ser usado tanto em circuitos de chaveamento como em osciladores.1) que levemente dopado o que implica numa elevada resistência. dreno e fonte: para transistores FET. 1. Assim. Identificando os Terminais A) Meça e as resistências no sentido direto e inverso em todos os terminais até encontrar um par em que a resistência é alta e igual em ambos os sentidos (direto e inverso). C)Os terminais identificados em A são: coletor e emissor: para transistores bipolares.disparadores e temporizadores.1. 1. Transistor Unijunção (UJT) O UJT é um tipo de transistor que exemplifica consideravelmente os circuitos osciladores. Constituição Interna e Simbologia O UJT é constituído de uma barra de silício do tipo N (fig 1).
. entretanto. MOSFET (transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor).
RBB.1 Analogia de Funcionamento 1.Tipicamente o valor de está compreendido entre 0.1 enquanto VE < 0. (eta) é a razão intrínseca de disparo. Vcc.Quando VE = 0. Seu valor determina a relação entre o valor de Rb1 a Rb2.Tensão de polarização entre as base 1 e 2.0 Oscilador de Relaxação O oscilador de relaxação é um circuito em que a freqüência é controlada pela carga e descarga de um capacitor através de um resistor. dependendo da posição do emissor em relação ás bases. No circuito. (Os limites desta tensão
especificados pelo fabricante).5 e 0. Características do circuito: Vdd. pois o diodo está reversamente polarizado.7 + VBB = VP = tensão no ponto de pico.É o diodo que representa a junção PN. Circuito Equivalente e Funcionamento do UJT fig2. o diodo fica polarizado diretamente e o UJT dispara.fig.
Vee.8. 1. Uma das principais aplicações do UJT é como oscilador de relaxação ou seja o período de oscilação do circuito pode dividir-se em dois intervalos.
.1 Simbologia 1.1 Constituição do UJT fig.7 + VRb1 o UJT estará cortado.tensão aplicada ao emissor sendo que Vcc deve ser maior que Vee. (Rbb= Rb1 + Rb2) Na Fig2. protegendo o UJT. O R2 estabiliza termicamente o UJT por meio da variação de tensão.característica fornecida pelo fabricante. a 10 kΩ. Oscilador de Relaxação com UJT
Fig 3.é a resistência que pode ser medida entre os terminais B1 e B2 (sendo constituída da soma de rb1 e rb2) esta resistência possui valores entre 1.0 Circuito Equivalente fig2. o resistor R1 tem duas funções: fornecer pulsos de tensão de saída do oscilador e limitar a corrente de descarga do capacitor.1.
1 temos a visão "por baixo" indicando a posição dos terminais (B1. ECG6401. 4. O valor será uma resistência baixa tando emissor/B1 e emissor/B2. NTE6401.3. Na Fig. portanto o UJT estará cortado (IE=0).C.1) a figura a seguir:
Fig 3. 4. Agora medimos a resistência entre Emissor e B1. Realize o mesmo teste anterior só que desta vez a ponta vermelha (+) é conectada ao emissor. Nessas condições o capacitor começa a se carregar através de R. 2. Fig. o capacitor se encontra descarregado.VBB. Foram usados para o teste modelos : 2N2646. Conhecendo os terminais fica fácil testá-lo. A sua estrutura é análoga à de um SCR.7V+ . B2 e Emissor). 3. e o ciclo se repete. A forma serrilhada da onda é causada pela carga relativamente lenta do capacitor e sua descarga muito rápida.1 1. 4. 1. 2N2647. 1.NTE6409. porém o gate na
. o UJT dispara fazendo o capacitor se descarregar através do UJT e da resistência RB1. Testando um Transistor Unijunção Para testarmos este componente usaremos um multímetro digital na escala de Ohms. Transistor Unijunção Programável O transistor unijunção programável (PUT) é um UJT no qual o valor de h (Razão Intrínseca de disparo) pode ser imposta através de resistores externos. A forma de onda de saída corresponde a um pico de tensão provocado pela descarga rápida de C através de R1. Com o multímetro na posição de Ohms medimos a resistência entre B1 e B2. uma resistência muito alta.0 da temos o símbolo e na Fig. Como mostra (fig. A maioria destes componentes tem a numeração 2N2646 de fabricação da Motorola. logo VC = VE = 0. nos dois casos deve ser praticamente o mesmo. em seguida medimos Emissor e B2 (a ponta preta (-) deve estar no Emissor para os dois casos).1(A) Formas de Onda no Capacitor e (B) Forma de onda entre B1 e Emissor Quando VC cair abaixo de VV (tensão crítica mínima do emissor) o UJT corta e C volta a se carregar . invertemos a posição e fazemos a mesma medida: O valor.Quando a alimentação é ligada pela primeira vez. 4. Quando VC = VP = VE = 0. tendendo a tensão nele para +VCC com constante de tempo =R. O valor encontrado deve ser praticamente o mesmo: uma alta resistência.O Transistor unijunção é um semicondutor de 3 terminais. tendo.0 Fig.
Nesse instante C se descarregar através do PUT e de RL . Nessas condições a realimentação positiva interna existente levará o PUT ao disparo. O capacitor C se carrega através de R. o PUT voltará a cortar e C volta a se carregar novamente através de R.7V. porém VA=V TH + VBE o transistor ficará polarizado diretamente assim conduzindo. Ligada a alimentação e estando o capacitor inicialmente descarregado ( VA = VC = 0 ) o PUT estará cortado ou seja.região N próxima do anodo.0) e o seu equivalente EM Thevenin.1 Da Fig 6.1 Funcionamento:
Para compreender o seu funcionamento consideremos o circuito com PUT da (Fig 6. Fig 6. nessas condições o PUT estará cortado. Quando a tensão de anodo (tensão no capacitor) cair abaixo da tensão de vale. se VA < VTH + VBE o transistor não conduzirá.
.0 Fig 6. O funcionamento do circuito é análogo ao do oscilador de relaxação com UJT.0 (A) 7. (Fig 6.1 obtemos:
Podemos verificar na Fig 6. o símbolo (B) e circuito equivalente (C) de um PUT.1 que. Q2 começa a conduzir disparando o PUT.0) mostra a estrutura ( A).
Fig 5. polarizado reversamente ). Quando.1). Quando a tensão no capacitor ultrapassar a tensão de gate (VRB1) em cerca de 0. A figura abaixo (Fig 5.
análoga à tensão de manutenção no SCR. o PUT é mais rápido e mais sensível que o UJT e embora encontre aplicações limitadas como elemento de controle de fase. Além disso. 1.
Obtendo a forma de onda no PUT: 1. Como fica evidente. a nomenclatura utilizada é a mesma o que irá variar é o tempo de disparo.7+ .VCC
PUT: VA =VBE + VTH Onde: Comparando as duas expressões concluímos que a relação intrínseca de disparo do PUT pode ser ajustada externamente através de RB1 e RB2. pois não depende mais do dispositivo. Conclusão
Observe que agora a relação de disparo não pode ser mais chamada de intrínseca. a característica de um PUT é semelhante á do UJT. mas a tensão de disparo do PUT é programável. e sendo assim. Se fizermos uma analogia com o UJT teremos no ponto de disparo: UJT :
VP=0. Iv (corrente de fim de disparo) . Comparativo UJT e PUT Apesar de sua semelhança com o SCR.Após ter disparado o PUT só voltará ao corte quando a tensão de anodo cair abaixo da tensão de vale V V.
. o PUT é chamado transistor de unijunção. uma vez que o mesmo é usado em circuitos onde poderiam ser usados UJT's convencionais. seu desempenho é superior á face sua menor corrente de
pico no disparo. em circuitos de tempo de longa duração. As características de ambos dispositivos são semelhantes. podendo ser fixada através da escolha de um divisor resistivo adequado. Em um PUT as grandezas Ip (corrente de disparo).
As correntes Ip e Iv dependem dos valores de Vs e RG. catodo
A tabela a seguir mostra os limites e os valores de alguns parâmetros.Gate 3.Vp (tensão de disparo) e
são programáveis. Anexos EXEMPLO DE PUT COMERCIAL 2N6027 e 2N6028 Encapsulamento TO-92 Terminais 1. Bibliografia
. Anodo 2.
.http://www.coinfo.cefetpb.asp http://www.br/professor/ilton/apostilas/discip_yahoo/iltonbarbacena/alarme/transistores5.edu.com.newtoncbraga.pdf www.eletrohoo.br/site/componentes/transistores/o_tuj/index.
ilton..
Apostila Tiristor SCR Esta é uma apostila do Professor......
Transistor Unijunção Explicar o princípio de funcionamento.www.
Transistor Unijunção Explicar o princípio de funcionamento.tk 1230 visitas | 115 downloads
0 0 Denuncie este arquivo bruno Curso: Tecnologia em Eletromecânica Tamanho do arquivo: 465 kb Palavras chave:Ujt e Put transistore unijunção..
Muito bom =) Material de apoio: Perguntas frequentes Privacidade Termos de uso Sobre o ebaH!: O que é o ebaH!? Fale conosco Ajude-nos a melhorar Imprensa Fique ligado: Blog do ebaH! Twitter do ebaH! EbaH! no Orkut Forum do ebaH! EbaH! no Facebook
.10 Transistores especiais
1. Adriano .em 08/03/2011 Achei esse arquivo muito explicativo.......
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