Ivan Emilio Chambouleyron - Biblioteca Virtual da FAPESP
Ivan Emilio Chambouleyron
Ivan Emilio Chambouleyron em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
20th inter Conf on amorphous and microcrystalline semiconductors | Campos do Jordão - SP, AO.R
O presente projeto propõe estudar os elementos semicondutores amorfos da coluna IV (Si, Ge, C) da tabela periódica, algumas de suas ligas (SiC, SiGe., CNXI GeCx), e os efeitos de contaminação controlada ("dopagem") com elementos da coluna III e V, com o objetivo de aumentar o entendimento de suas propriedades físicas básicas (eletrônicas, ópticas, estruturais e mecânicas) para aplicaçõ...
Propriedades estruturais, ópticas e de transporte em semicondutores amorfos, AP.TEM
1) column iii and v elements as substitutional doapants in a-Ge:H. 2) laser crystallization and structuring of a-Ge, AR.EXT
Estudo dos mecanismos microscópicos da cristalização a baixa temperatura de semicondutores amorfos induzida por metais. Filmes de germânio amorfo depositados sobre camadas finas de alumínio serão recozidas e estudadas com espectroscopia Raman e de transmissão infravermelho. A espessura da camada de alumínio será constante para todas as amostras, mas as camadas de germânio amorfo deposi...
Cristalização do germânio amorfo induzida por alumínio em estruturas multicamadas, BP.MS
Neste projeto de tese de doutorado pretende-se estudar a dependência da fotocondutividade (PC) com a temperatura em amostras intrínsecas e dopadas de germânio amorfo hidrogenado, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do Instituto de Física "Gleb Wataghin" da UNICAMP. Pretende-se realizar três tipos de medidas: (i) fotocondutividade dependente da temperat...
Fotocondutividade dependente da temperatura em amostras dopadas de germânio amorfo hidrogenado, BP.DR
Durante meu estágio em Princeton pretendo trabalhar principalmente nos aspectos de otimização da qualidade eletrônica das ligas amorfas de Si e Ge com vistas à fabricação de dispositivos fotovoltaicos. As pesquisas incluem a preparação dos materiais pelo método de descarga luminescente a partir de misturas gasosas de silana e germana variando os parâmetros que determinam a qualidade do...
Ligas semicondutoras amorfas de silício e germânio, BE.PQ
Alumínio Catálise Ciências Exatas e da Terra Cristalização Dispositivos eletrônicos Dopagem eletrônica Estrutura Filmes finos Física da Matéria Condensada Física Fotocondutividade Germânio Interface Ligas Matéria condensada Materiais eletrônicos Propriedades de transporte Propriedades ópticas Propriedades Semicondutores amorfos Semicondutores Silício
MUNIZ, Lucas Romano. Cristalização do germanio amorfo pelo aluminio : caracterização por espectroscopia Raman. 2007. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Física Gleb Wataghin. Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). (04/11656-5)