Bolsa 09/14404-0 - Propriedades de transporte, Métodos ab initio - BV FAPESP
High-level quantum chemical investigations of defect structures in model graphene ...
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Camadas antirrefletoras de carbono amorfo e carbeto de silício para células solare...
Processo: 09/14404-0
Beneficiário: Thiago Barros Martins
Assunto(s): Propriedades de transporte Métodos ab initio Transporte eletrônico Teoria do funcional da densidade Carbeto de silício
Uma das buscas da nanociência é a descoberta de novos materiais na escala nanométrica que possam resultar em aplicações tais como em nanodispositivos. A expectativa da comunidade científica de construir nanodispositivos, análogos aos existentes na microeletrônica, movimenta e fomenta o campo da nanoeletrônica. Dentro desse cenário, o grafeno tem ocupado importante papel na área. Sua síntese foi obtida independentemente por 3 diferentes grupos. A razão para sua tamanha importância está relacionada com as intrigantes propriedades eletrônicas que apresenta. Um dos desafios da comunidade é a obtenção de um método de produção que seja capaz de fornecer folhas de grafeno em larga escala para utilização com fins industriais. Crescimento epitaxial de grafeno sobre um substrato de carbeto de silício tem se mostrado como um método promissor. Este método fornece folhas de grafeno com alta cristalinidade e com as propriedades eletrônicas observadas para folhas isoladas. A partir do filme de grafeno crescido sobre o substrato, nanodispositivos eletrônicos podem ser "desenhados" utilizando técnicas de litografia. No entanto, o uso final de tais dispositivos depende de dois fatores: (i) o desacoplamento químico de todo circuito do substrato e (ii) o controle do GAP de energia que define o caráter semicondutor do circuito (como em um diodo). Ambas as questões podem ser abordadas através do uso de dopantes apropriados. Por exemplo, átomos de ouro adsorvidos entre o substrato e a folha de grafeno podem levar a quebra de ligações entre substrato e grafeno. Enquanto que o uso de átomos de Boro adsorvidos sobre a folha de grafeno pode produzir GAPs de energia cuja magnitude deve depender da concentração de átomos de Boro. (AU)