Existe uma diferença prática entre as saídas Open Drain e Open Collector, ou os termos são usados ​​de forma intercambiável? Se eles são realmente diferentes, quais são os contextos em que cada um é vantajoso? Meu palpite é que eles são funcionalmente equivalentes, mas o Open Drain é implementado com a tecnologia FET enquanto o Open Collector é implementado com a tecnologia BJT.
gpio open-drain open-collector
É isso mesmo, coletor aberto é BJT, dreno aberto (C) MOS. Em circuitos lógicos em que as correntes são baixas, a tensão de saturação do BJT pode ser um pouco maior que a queda de tensão devido a para o FET, mas ainda será muito menor que a tensão máxima para uma lógica baixa. .RD S( O N)RDS(ON)
Exceção: você não pode usar uma saída de coletor aberto TTL como um deslocador de nível para fazer interface com CMOS de voltagem muito baixa. Este inversor pode operar em um Vcc tão baixo quanto 0,8 V, e a folha de dados fornece um nível baixo máximo de 0,25 Vcc, ou seja, 0,2 V. Um coletor aberto terá uma queda de tensão maior que isso. ( Este dispositivo especifica até uma tensão de entrada máxima de baixo nível de 0 V, o que é simplesmente impossível.)
note Observação
Além do coletor / dreno de conexão com fio (pense I2C), o coletor / dreno aberto é frequentemente usado para controlar algo que opera com uma voltagem diferente da lógica, geralmente uma voltagem mais alta. Com algumas famílias lógicas de baixa tensão, isso não é mais possível, pois os FETs não toleram a alta tensão e, por esse motivo, algumas famílias terão diodos de aperto integrados para proteger os FETs de saída.
Eles provavelmente esqueceu de dizer 0V + -10% :-)
@OlinLathrop que dizer nas planilhas de dados me mata. Toda vez que vejo, jogo alguma coisa.
@ Kortuk-SMASH !!
Hey @vicatcu, devo lembrá-lo que você está na minha sala de estar! Isso vale para você também, Kortuk.
Hummm. Alguém já tentou usar o link na folha de dados da TI chamado "Enviar comentários sobre a documentação"?