ReP USP - Detalhe do registro: Modelagem de células solares nMOS operando em regime de inversão induzido por cargas positivas na interface SiOxNy/Si
Modelagem de células solares nMOS operando em regime de inversão induzido por cargas positivas na interface SiOxNy/Si (2017)
Izumi, Fabio
Autor USP: IZUMI, FÁBIO - EP
Subjects: C++ (LINGUAGEM DE PROGRAMAÇÃO); CÉLULAS SOLARES
Abstract: O presente trabalho teve como objetivo a modelagem de células solares MOS operando em regime de inversão controlado por centros positivamente carregados na interface SiNxOy/Si. Este tipo de célula solar foi recentemente fabricada pela primeira vez no âmbito dos trabalhos desenvolvidos no grupo de Superfícies, Interfaces e Deposição Eletroquímica (GSIDE) do LSI/PSI/EPUSP utilizando dielétricos de porta ultra-finos (~2nm). A receita de crescimento de dielétrico ultra-fino desenvolvida foi no sentido de assegurar reprodutibilidade e uniformidade da espessura do dielétrico ao longo de áreas extensas de alguns cm2. Baseado nas curvas experimentais CxVg, GxVg e IxVg das células solares fabricadas, foi mostrado para as células fabricadas em substrato tipo P que existem os centros K predominantemente preenchidos com cargas positivas em todos os regimes de operação (acumulação, depleção e inversão). A densidade de cargas positivas (Qiq) na interface SiNxOy/Si além de ter resultado positivo, apresentou um comportamento linear com o potencial de superfície (ys) ou com a tensão de porta Vg de acordo com os resultados obtidos através de um simulador numérico desenvolvido para esta aplicação específica. Tal comportamento consistiu no acomodamento das cargas positivas na interface de forma que uma região de depleção profunda (Wd) é formada sem a presença da camada de inversão na condição sem iluminação. Para as células MOS submetidas a diferentes níveis de iluminação, tanto para os dielétricos crescidos a 850ºC como também para aqueles que foram crescidos a 700ºC, foi constatado que os centros K na interface funcionam como uma região de armazenamento de cargas positivas a medida em que os elétrons tunelam em direção à porta metálica da estrutura MOS. Como resultado, este tipo de comportamento significa uma nova forma de implementar o efeito fotovoltáico.
IZUMI, Fabio; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Modelagem de células solares nMOS operando em regime de inversão induzido por cargas positivas na interface SiOxNy/Si. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06122017-093253/pt-br.php >.
Izumi, F., & Santos Filho, S. G. dos. (2017). Modelagem de células solares nMOS operando em regime de inversão induzido por cargas positivas na interface SiOxNy/Si. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06122017-093253/pt-br.php
Izumi F, Santos Filho SG dos. Modelagem de células solares nMOS operando em regime de inversão induzido por cargas positivas na interface SiOxNy/Si [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06122017-093253/pt-br.php