text: AlN Bufer Qatının Kristalloqrafik Quruluşa və MOVPE tərəfindən Safir Substratda Yetişdirilən GaN və Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) Filmlərin Elektrik və Optik Xassələrinə Təsiri (Akasaki, I., Amano, H., Koide, Y., Hiramatsu, K. və Sawaki, N.).Journal of Crystal Growth 98: 209-219.