text: Biz MOCVD avadanlığından istifadə edərək aşağı temperaturda çökmə bufer təbəqəsi texnologiyası ilə yüksək keyfiyyətli, yüksək təmizlikli GaN kristallarının dünyada ilk artımını və yaradılmasını həyata keçirmişik. (1986)