text: GaN əsaslı kristallarda pyezoelektrik sahənin gücünün kristal oriyentasiyasından asılı olan qeyri-qütb müstəvilərinin və yarımqütblü təyyarələrin mövcudluğunu nəzəri cəhətdən aydınlaşdırırıq. (Bu, qeyri-qütblü/yarıqütblü təyyarələrdə və yarımkeçirici cihaz tədqiqatlarında kristal artımına səbəb olan yeni nəsil yarımkeçiricilər üçün əsas inkişaf tendensiyasına səbəb oldu. )(2000-ci il)