Диссертация посвящена оптимизации режима затягивания полупроводникового лазера высокодобротным микрорезонатором. Целью данной работы является разработка эффективных теоретических моделей, точно описывающих явление стабилизации одночастотных и многочастотных лазерных источников при их затягивании высокодобротными микрорезонаторами, поиск новых оптических схем и выявление оптимальных режимов, обеспечивающих наилучшее подавление фазовых шумов в стабилизированных лазерах. Эффективность стабилизации лазера в классической схеме затягивания зависит от резонансного рэлеевского рассеяния на внутренних и поверхностных неоднородностях микрорезонтора. Максимальная эффективность стабилизации лазера достигается, когда уровень рэлеевского рассеяния сравним с уровнем потерь в резонаторе, что является сложной технической задачей, так как в высокодобротных резонаторах внутренние и поверхностные неоднородности подавлены на стадии изготовления путем полировки и отжига. Разработан метод увеличения эффективности затягивания и улучшения шумовых характеристик лазера. Также, предложена модифицированная схема затягивания частоты лазера высокодобротным оптическим микрорезонатором с дополнительной призмой и зеркалом, в которой уровень оптической обратной связи регулируется настройкой связи между резонатором и дополнительной призмой.