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  MLC快閃記憶體的主要好處是較高的資料密度帶來的較低單元儲存成本,而儲存器讀取軟體可以補償更大的位元誤位元速率。更高的錯誤率需要前向錯誤更正(ECC)來糾正多個位元錯誤。例如,SandForce SF-2500快閃記憶體控制器可以糾正每個512位元組扇區中最多55位元,從而使不可恢復讀錯誤的發生率低於每讀寫10位元時一個扇區。最常被使用的演算法是BCH碼。與SLC快閃記憶體相比,MLC NAND的其他缺點是較低的寫入速度、較低的程式設計擦除週期數和更高的功耗。  有少數儲存器裝置走向另一個方向,為每個位元使用兩個單元,從而得到更低的誤位元速率。 Intel 8087使用每個單元兩個位元的技術,並是首個在1980年於市場上使用多層ROM單元的裝置。一些固態磁碟使用MLC NAND中的部分晶粒模擬為單位元的SLC NAND,從而提供更高的寫入速度。

  三星集團宣佈了每個單元(cell)儲存三位元資訊的一種NAND快閃記憶體,具有共8種電壓狀態。這也稱之為三層單元(Triple Level Cell,縮寫TLC),首次應用於840系列SSD。三星將這項技術稱之為3位元MLC。基於NAND儲存器的SanDisk X4快閃記憶體儲存卡在每個電晶體中使用16個離散電荷電平(狀態)在每個單元儲存四位元。MLC的缺點在TLC上同樣存在並更為突出,但TLC也受益於更高的儲存密度和更低的成本。

  快閃記憶體將資料儲存在浮柵電晶體制成的各儲存單元中。在傳統上,每個單元有兩種可能的狀態,因此每個單元中儲存一個位後設資料的稱之為單層單元,或者SLC快閃記憶體。SLC儲存器具有高寫入速度、低功耗、更長電池耐久的優點。但是,因為SLC儲存器比MLC儲存器在每個單元中儲存的資料更少,它儲存每兆位元組的成本更高。由於更快的傳輸速度和更長使用壽命,SLC快閃記憶體技術更常被用於製造高效能儲存卡。2016年2月的一項研究表示,SLC與MLC的可靠性在實踐中幾乎沒有差異。
多層單元(英語:multi-level cell,縮寫MLC)是一種儲存多個位元資訊的儲存器元件。