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  肖特基二極體是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘,以產生整流的效果,和一般二極體中由半導體-半導體接面產生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極體的導通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。

  肖特基二極體和一般二極體最大的差異在於反向恢復時間,也就是二極體由流過正向電流的導通狀態,切換到不導通狀態所需的時間。  一般二極體的反向恢復時間大約是數百nS,若是高速二極體則會低於一百 nS,肖特基二極體沒有反向恢復時間,因此小訊號的肖特基二極體切換時間約為數十 pS,特殊的大容量肖特基二極體切換時間也才數十 pS。由於一般二極體在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極體可以立即切換,沒有反向恢復時間及反相電流的問題。  肖特基二極體是一種使用多數載流子的半導體元件,若肖特基二極體是使用N型半導體,其二極體的特性是由多數載流子(即電子)所產生。多數載流子快速地由半導體穿過接面,注入另一側金屬的傳導帶,由於此過程不涉及N 型、P 型載流子的結合(隨機反應而且需要時間較長),因此肖特基二極體停止導通的速度會比傳統的二極體速度要快。這樣的特性使得元件需要的面積可以減少,又進一步的減少切換所需的時間。在切換式電源供應器中常會用到肖特基二極體,因為肖特基二極體允許高速切換,電路可以在200kHz到2MHz的頻率下操作,也就可以使用較小的電感器及電容器,同時可以提升電源供應器的效率。小體積的肖特基二極體最高可工作在50GHz的頻率,因此是 RF (無線電頻率)偵測器及 mixer(混頻器) 中的重要零件。

  肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用矽及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大,實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題,肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過目前肖特基二極體的技術也已有了進步,其反向偏壓的額定值最大可以到200V。現行技術也可以製造出反向偏壓更高的肖特基二極體,但是其導通電壓也會升高到和普通二極體相同的水平,因此除非是需要高切換速度的場合,這種二極體在應用中沒有優勢。

  碳化矽肖特基二極體是一種新型的肖特基二極體,與傳統的矽管相比,其反向漏電流更低、反向耐壓更高,但導通電壓也更高(25°C時的導通電壓為1.4-1.8 V)。但由於消除了反向恢復電流,這種二極體可將電源介面卡的效率提高0.5%-1%,同時降低電磁干擾,允許縮小EMI濾波器的體積。時至2011年,市面上可購買到反向耐壓高達1700V的產品。碳化矽肖特基二極體具有優良的熱導率,溫度因素對二極體的切換特徵和溫度特徵只有很小的影響。特殊封裝的碳化矽肖特基二極體可以在結溫達500 K (約200 °C)時依然正常工作,用於航空領域時,僅靠被動輻射即可實現被動散熱。
肖特基二極體(又譯蕭特基二極體)是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體,是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件,其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基(Walter H. Schottky)。