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  SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次資料,它是在時鐘上升期進行資料傳輸;而DDR則是一個時鐘週期內可傳輸兩次資料,也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料。

  注意:上面列出的資料都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的資料率不一定是JEDEC規範,往往是製造商自行最佳化,使用更嚴格的公差或overvolted晶片。  DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異,設計不同的時脈頻率,例如,PC-1600被設計執行在100 MHz,至於PC-2100被設計執行在133 MHz。  DDR SDRAM 的模組用於臺式電腦,被稱為DIMMs,有184只引腳(而不是168針SDRAM,或240針腳的DDR2 SDRAM),並可以從不同notches數目來辨別(DDR SDRAM,有一個,SDRAM,SDRAM DIMMs的有兩個)。膝上型電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200只引腳,引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似,如果不能確定正確的匹配,必須小心插入。

  H|zh:晶片;zh-hans:晶片;zh-hant:晶片;zh-cn:晶片;zh-tw:晶片;zh-hk:晶片;zh-sg:晶片;zh-mo:晶片;

  為了要增加記憶體的容量和頻寬,晶片會利用模組結合。例如,有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位的晶片並行處理。與常見的位址線(address lines)的多個晶片被稱為memory rank。這個術語被引入,是要避免與晶片內部row和bank的混亂。

  PC3200是使用頻寬 3200 MB / s的DDR - 400晶片設計,在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200記憶體的上升和下降時鐘邊沿的資料傳輸,其有效的時鐘速率為 400 MHz。

  (DDR1)已被DDR2 SDRAM取代,其中有一些修改,以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準,提供更高的效能和新功能。  DDR 預取緩衝器(prefetch buffer)深度為2位元,而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR,但整體效能並沒有提升,主要是由於DDR2高延遲(high latency)。直到2004年DDR2才有明顯的提升。

  MDDR是Mobile DDR的縮寫,在一些行動電子裝置中使用,像是使用行動電話、手持裝置、數字音訊播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的重新整理選項(advanced refresh options)技術,MDDR可以實現更高的電源效率。

  利用下列公式,就可以計算出DDR SDRAM時脈。  DDR I/II記憶體運作時脈:實際時脈*2。 (由於兩筆資料同時傳輸,200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。)  記憶體頻寬=記憶體速度*8 Byte  標準公式:記憶體除頻係數=時脈/200→*速演算法:外頻*(除頻頻率/同步頻率) (使用此公式將會導致4%的誤差)
雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(英語:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱DDR SDRAM)為具有雙倍資料傳輸率的SDRAM,其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍,由於速度增加,其傳輸效能優於傳統的SDRAM。