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  半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項最重大的突破,標誌著電子技術的誕生。而由於不同領域的實際需要,促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展,其中一個分支即是以積體電路為代表的微電子器件,特點為小功率、整合化,作為資訊的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點為大功率、快速化。1955年,美國通用電氣公司發表了世界上第一個以矽單晶為半導體整流材料的矽整流器(SR),1957年又發表了全球首個用於功率轉換和控制的可控矽整流器(SCR)。由於它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢,尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,讓半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上,閘流體迅速取代了水銀整流器(引燃管),使得整流器固體化、靜止化和無觸點化,並顯著的節省能源。從1960年代開始,由普通閘流體相繼衍生出了快速閘流體、光控閘流體、不對稱閘流體及雙向閘流體等各種特性的閘流體,形成一個龐大的閘流體家族。  但閘流體本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的閘流體屬於半控型器件,通過閘極(控制極)只能控制其開通而不能控制其關斷,導通後控制極即不再起作用,要關斷必須切斷電源,即令流過閘流體的正向電流小於維持電流。由於閘流體的關斷不可控的特性,必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路,從而使裝置體積增大,成本增加,而且系統更為複雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足於分立元件結構,開通損耗大,工作頻率難以提高,限制了其應用範圍。1970年代末,隨著可關斷閘流體(GTO)日趨成熟,成功克服了普通閘流體的缺陷,標誌著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件。

  閘流體一詞有時單指SCR;有時泛指具有四層或以上交錯P、N層的半導體裝置,如單向閘流體(SCR)、雙向閘流體(TRIAC)、可關斷閘流體(GTO)、SIT、及其他種類等。 單向閘流體是PNPN四層結構,形成三個PN接面,可以等效為PNP、NPN兩電晶體組成的複合管,具有三個外電極:陽極A(Anode),陰極C(Cathode)和控制極G(Gate)。在A、C之間加上正電壓後,管子並不導通;當控制極G加上正電壓(相對於陰極C而言)後才導通;此時再去掉控制極的電壓,管子依然能夠保持導通。  雙向閘流體可以等效為兩個單向閘流體反向並聯。因雙向閘流體正負雙向均可以控制導通,故控制極G外的另外兩個電極不再稱陰極陽極,而改稱為主電極MT1、MT2或T1、T2。當G與MT1間給予適當的訊號時,MT2與MT1間即可導通。
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