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  1960年9月11日,天野浩出生於日本靜岡縣濱松市一個企業技術員之家。高中第一名畢業後考入名古屋大學工學部電子工學科。1982年作為一個大學生加入了赤崎勇教授的研究小組,自此一直從事III族氮化物半導體的生長、表徵和器件的應用研究,這是如今眾所周知的用於藍色發光二極體的材料。1983年大學畢業後,在赤崎的推薦下留校深造。1985年取得工學碩士學位,1988年擔任大學助手。  他在小學時代參加了足球和壘球隊,到高中為止都熱衷於業餘廣播。儘管上高中前都未在課業用功,但數學成績一直很好。

  1985年,天野開發了用於在藍寶石襯底上生長III族氮化物半導體膜的低溫沉積緩衝層(AIN),從而實現了III族氮化物半導體的發光二極體和鐳射二極體。1989年,天野在名古屋大學的赤崎研究室成功生成p型GaN(氮化鎵)磊晶體,首次觀測到p型材料的劇烈發光。世界最初的pn結GaN紫外光/藍色發光二極體便出現在天野的手上,他也在同年取得工學博士學位。1992年,天野跟隨赤崎研究室移動至名城大學,2002年升為教授,2010年回到名大擔任工學研究科教授。  出於對研究的熱情,天野研究室不論平日、假日或新年過年都在工作,半夜燈火通明的模樣,被稱為「不夜城」。根據他的實驗室學生所說,天野教授生性樂觀、溫和,從未生氣。  天野的妻子通曉英語、俄語、法語,現任俄羅斯的講師。長女是京都大學研究生,長男就讀於東京大學。

  2014年諾貝爾物理學獎宣佈時,天野正在法國出差途中。當晚名大的記者會由益川敏英(2008年諾貝爾物理學獎得主)透過現場連線表示嘉許。天野於2015年3月16日獲聘 名大「特別教授」,待遇等同赤崎勇。  根據諾貝爾獎委員會,有關3人貢獻的主要區別是:

  2015年3月1日,諾貝爾獎得主座談(Nobel Week Dialogue)首次移師海外,在日本東京舉行。在7名與會的諾貝爾獎得主當中包括2名日本人--天野教授與京都大學的山中伸彌教授(2012年醫學獎)。此外,島津製作所的田中耕一(2002年化學獎)出席了最後一輪座談。

  2018年4月,名古屋廣小路商店街設定3座手形像,以紀念下村修、赤崎勇、天野浩3人的功績。
天野浩(,1960年-9月11日),日本工程學家,美國國家工程院外籍院士,專長半導體器件製造。現任名古屋大學特別教授,榮獲文化勳章,並被表彰為文化功勞者。