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  砷化鎵是重要的化合物半導體材料,外觀呈亮灰色,具金屬光澤、性脆而硬。常溫下比較穩定。加熱到873K時,外表開始生成氧化物形成氧化膜包腹。常溫下,砷化鎵不與鹽酸、硫酸、氫氟酸等反應,但能與濃硝酸反應,也能與熱的鹽酸和硫酸作用。

  砷化鎵天然存量稀少,通常採用鎵和砷直接化合的方法,其中水平區域熔鍊法是普遍採用的方法。通過區域提純便可獲得單晶。 採用間接的方法也可獲得砷化鎵。如一氯化鎵用砷蒸氣還原來製備砷化鎵;Ga(CH)和AsH在一定溫度下,發生熱分解得到砷化鎵。

  

  因為砷化鎵和砷化鋁(AlAs)的晶格常數幾乎一樣,可以利用分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)或有機金屬氣相磊晶 (metal-organic vapour phase epitaxy,MOVPE,也稱做有機金屬化學氣相沉積法),在砷化鎵上輕易地形成異質的結構,生長出砷化鋁或砷化鋁鎵(AlGaAs)合金;且因為生長出的合金層應力小,所以幾乎可以任意調整生長厚度。  砷化鎵的另一個重要應用是高效率的太陽電池。1970年時,Zhores Alferov和他的團隊在蘇聯做出第一個砷化鎵異質結構的太陽電池。用砷化鎵、Ge和InGaP三種材料做成的三接面太陽電池有32%以上的效率,且可以操作在2,000 suns下的劇烈強光。這種太陽電池曾運用在美國NASA探測火星表面的機器人勇氣號火星探測器(Spirit Rover)和機會號漫遊者(Opportunity Rover),且許多太空載具的太陽電池板陣列都是出於砷化鎵。  利用布里奇曼-史託巴格法(英語:Bridgman–Stockbarger technique)可以製造出砷化鎵的單晶,因為砷化鎵的力學特性,所以柴可拉斯基法(英語:Czochralski process)很難運用在砷化鎵材料的製作。

  砷化鎵的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因為它含有砷,經研究指出,砷是有毒的,也是一種致癌物質。但,因為砷化鎵的晶體很穩定,所以如果身體吸收了少量,其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光製程(晶圓使表面微粒變小)時,表面的區域會和水起反應,釋放或分解出少許的砷。就環境、健康和安全等方面來看砷化鎵(就像是三甲基鎵和砷)時,及有機金屬前驅物的工業衛生監控研究,都最近指出以上的觀點。
砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體鐳射器和太陽電池等元件。