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  在半導體中,電子和空穴作為載流子。數目較多的載流子稱為多數載流子;在N型半導體中多數載流子是電子,而在P型半導體中多數載流子是空穴。數目較少的載流子稱為少數載流子;在N型半導體中少數載流子是空穴,而在P型半導體中少數載流子是電子。  少數載流子在雙極性電晶體和太陽能電池中起重要作用。不過,此種載流子在場效電晶體(FET)中的作用是有些複雜的:例如,MOSFET兼有P型和N型。電晶體涉及到源漏區,但這些少數載流子橫穿多數載流子體。不過在傳送區內,橫穿的載流子比其相反型別載流子的數目多得多(實際上,相反型別的載流子會被外加電場移除而形成耗盡層),因此按慣例為源漏選定的載流子是可採用的,而FET被稱為“多數載流子”裝置。  當電子遇到空穴時,二者複合後自由載流子就很快消失了。釋放的能量可以是熱,會加熱半導體(熱複合,半導體中廢熱的一個來源),或者釋放光子(光復合,用於LED和半導體鐳射中)。
在物理學中,載流子(charge carrier),或簡稱載子(carrier),指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴)被視為載流子。