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  在1909年,Minozzi第一個報道了通過相應的元素單質製備二硒化鉑。  將鉑薄箔在400°C時與硒蒸氣加熱可以得到二硒化鉑。  鉑的111晶面暴露於硒蒸氣中,270°C可以形成單層PtSe.  除了這些硒化法外,PtSe也可以通過在水溶液中用硒化氫處理Pt(IV)得到,或者是加熱四氯化鉑和硒的混合物。

  二硒化鉑的晶體結構為CdI,形成的是層狀結構。每個單層有鉑原子中心,硒原子在鉑的上方和下方。這種結構也稱為“1T”,屬於三角晶系。每層僅由弱鍵結合在一起,因此可以將片剝離為雙層或單層。  塊狀的PtSe是半金屬材料,單層是半導體材料。塊狀材料的電導率為620,000 S/m。  XPS光譜顯示了在Pt 4f處有72.3eV的峰,在Pt 5p有55.19和54.39eV的峰;Se 3d和3d分別有55.19和54.39eV的峰。  聲子振動由紅外活性A(Se在Pt面外振動)、E(層振動,Se相對於Pt)和拉曼活性A(Se頂部和底部原子沿相反方向205cm移動)、E(在平面Se原子相對於頂部和底部移動175cm)。在拉曼光譜中,當測量與入射光線垂直偏振的受激發射時,A被減弱。堆疊更多的層時,E模式發生紅移。(雙層材料為166cm,塊狀材料為155cm)。當厚度變化時,A排放僅略有變化。  對於單層,帶隙為1.2eV(計算值),雙層的為0.21eV(計算值)。對於三層或更厚的物質,會失去一個帶隙並變為半金屬性質。  PtSe可以在特定氣體(如二氧化氮)存在下改變其電導性。在幾秒鐘內,NO吸附在PtSe材料的表面,降低了電阻。當氣體不存在時,大約一分鐘內會回到高電阻的狀態。PtSe的塞貝克係數為40 μV/K。  雖然二硒化鉑是非磁性的,但是當存在高達10%的鉑空位並且其被置於5%的應變下時,它預計將變為鐵磁性。  二硒化鉑的單層顯示螺旋旋轉紋理,對諸如此類的中心對稱材料來說,這一性質並不是我們想要的。這個性質可能是由於區域性偶極誘導的拉什巴效應,這意味著PtSe是潛在的自旋電子材料。

  目前已知的是水和氧在室溫下僅與二硒化鉑發生物理吸附,所對應的能量分別為−0.19 eV和−0.13 eV,遠低於室溫下發生反應所需的能量。
二硒化鉑是一種無機化合物,化學式為PtSe。它是層狀物質,可以分成薄層至三原子厚的單層。厚度不同,PtSe可以展現出半金屬或半導體特性。