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  DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快,使用SSTL 15的I/O介面,運作I/O電壓是1.5V,採用CSP、FBGA封裝方式包裝,除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,另外新增更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。  CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM記憶體顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準ODT(On Die Termination)內部終端電阻,新增SRT(Self-Reflash Temperature)可程式化溫度控制記憶體時脈功能,SRT的加入讓記憶體顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化,可以說在記憶體內,就做了電源管理的功能,同時讓記憶體顆粒的穩定度也大為提升,確保記憶體顆粒不致於工作時脈過高導致燒燬的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)區域性Bank重新整理的功能,可以說針對整個記憶體Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。

  DDR3 SDRAM在記憶體模組上,針對臺式電腦開發出240pin DIMM模組、在筆記型電腦則是204pin SO-DIMM,更高的運作時脈還有DDR3-1800、DDR3-2000、DDR3-2133和DDR3-2200四種。

  所有基於JEDEC規範的DDR3記憶體模組都會配備SPD(serial presence detect)晶片,該晶片EEPROM儲存於SMbus之上,其中包括記憶體模組將提供給系統的容量以及模組特徵資訊,包括電壓,因此係統就能夠藉此韌體資訊相容支援最新的DDR3L記憶體模組。

  2010年7月26日,JEDEC釋出DDR3L標準。  DDR3的電壓為1.5V,而DDR3L的電壓為1.35V,記憶體模組上會標記為PC3L。DDR3U的電壓為1.25V,標記為PC3U。低電壓RAM的用電量較少,但效能會弱於標壓DDR3,主要用於手提電腦和Skylake微架構與更新的CPU。  DDR3L記憶體的SPD晶片裡包含支援電壓的資料,可根據主機板記憶體插槽的支援自適應1.5V或者1.35V的工作電壓。理論上2011年釋出的Sandy Bridge與2010年釋出的Calpella平臺的1.5V記憶體插槽也能識別支援DDR3L記憶體條。但是,只有在2012年釋出的Ivy Bridge或2013年釋出的Haswell平臺上,DDR3L記憶體條才能工作於1.35V電壓。
第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般稱為DDR3 SDRAM),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供相較於DDR2 SDRAM更高的執行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者(增加至八倍)。