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  場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明,但是實用的器件一直到1952年才被製造出來(結型場效電晶體)。1960年Dawan Kahng發明了金氧半導體場效應電晶體,從而大部分代替了JFET,對電子行業的發展有著深遠的意義。

  所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應雙極性電晶體的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除了結型場效電晶體外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將電晶體調製至執行;在電路設計中,很少讓體端發揮大的作用,但是當物理設計一個積體電路的時候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度(length)L,是指源極和漏極的距離。寬度(width)是指電晶體的範圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。  這些端的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過製造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個外加的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵極、漏極、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連,根據型別不同而不同。體端和源極有時連在一起,因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中FET並沒有這樣的結構,比如級聯傳輸電路和串疊式電路。

  FET由各種半導體構成,目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術製造,使用單晶半導體矽片作為反應區,或者溝道。  大部分的不常見體材料,主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中,或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體,常常用有機柵絕緣體和電極。

  摻雜FET(解釋如下)的溝道用來製造N型半導體或P型半導體。在耗盡模式的FET下,漏和源可能被摻雜成不同型別至溝道。或者在提高模式下的FET,它們可能被摻雜成相似型別。場效應電晶體根據絕緣溝道和柵的不同方法而區分。FET的型別有:

  

  FET通過影響導電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源極的電壓而創造和影響的(為了討論的簡便,這預設體和源極是相連的)。導電溝道是從源極到漏極的電子流。

  在一個n溝道"耗盡模式"器件,一個負的柵源電壓將造成一個耗盡區去拓展寬度,自邊界侵佔溝道,使溝道變窄。如果耗盡區擴充套件至完全關閉溝道,源極和漏極之間溝道的電阻將會變得很大,FET就會像開關一樣有效的關閉(如右圖所示,當柵極電壓很低時,導電溝道幾乎不存在)。類似的,一個正的柵源電壓將增大溝道尺寸,而使電子更易流過(如右圖所示,當柵極電壓足夠高時,溝道導通)。

  相反的,在一個n溝道"增強模式"器件中,一個正的柵源電壓是製造導電溝道所必需的,因為它不可能在電晶體中自然的存在。正電壓吸引了導體中的自由移動的電子向柵極運動,形成了導電溝道。但是首先,充足的電子需要被吸引到柵極的附近區域去對抗加在FET中的摻雜離子;這形成了一個沒有運動載流子的被稱為耗盡區的區域,這種現象被稱為FET的閾值電壓。更高的柵源電壓將會吸引更多的電子通過柵極,則會製造一個從源極到漏極的導電溝道;這個過程叫做"反型"。

  無論是增強模式還是耗盡模式器件,在漏源電壓遠小於柵源電壓時,改變柵極電壓將改變溝道電阻,漏電流將和漏電壓(相對於源極的電壓)成正比。在這種模式下FET將像一個可變電阻一樣執行,被稱為"線性模式"或"歐姆模式"。  如果漏源電壓增長了,由於源漏電勢的梯度,它將造成溝道形狀上的一個很大的非對稱改變。在溝道的漏末端,反型區域的形狀變成夾斷(pinched-off)。如果漏源電壓進一步增長,溝道的夾斷點將開始離開漏極,向源極移動。這種FET被稱為"飽和模式"; 一些作者把它稱為"有源模式",為了更好的和雙極電晶體操作區對比。 當需要放大的時候一般用飽和模式或者歐姆模式與飽和模式的中間模式。中間模式有時被認為是歐姆或線性模式的一部分,儘管漏電流並不隨著漏電壓大致線性增長。  儘管在飽和模式下,柵源電壓形成的導電溝道不再和源相連,載流子的流動並沒有被禁止。重新考慮n溝道器件,耗盡區存在於p型體中的導電通道和漏、源區域周圍。如果受到漏源電壓向漏方向的吸引,組成溝道的電子將通過耗盡區自由的從溝道中移走。耗盡區將沒有載流子,而有近似於矽的電阻。任何漏源電壓的增長將增加漏極到夾斷點的距離,相對於耗盡區增加的電阻和加在漏源上的電壓成正比。這種正比的變化造成漏源電流保持相對固定的對漏源電壓的獨立變化,這和線性模式執行有所不同。儘管在飽和模式下,FET就像一個穩恆電流源而不是電阻,它可以在電壓放大器中大多數有效的運用。在這種情況下,柵源電壓決定了通過溝道的固定電流的大小。

  IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。  大部分常用的FET是金氧半導體場效電晶體。互補式金氧半導體過程技術是現代數字積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p溝道MOSFET和n溝道MOSFET(通常在提高模式),使得當一個開,另一個則關。  MOSFET中柵和溝道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞。器件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題。  在FET中,當線上性模式下執行,電子能向各個方向流動通過溝道。當器件是特別的(但並不是經常的)從源極到漏極的對稱制造,漏極和源極的名稱變化有時是隨機的。這使得FET適合用來開關路程間的模擬訊號(多路技術)。例如,由這一概念,固體混合板就可以被構造出。
場效電晶體(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。