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  江崎玲於奈在1925年出生於日本大阪中河內郡高井田村(現在的東大阪市),成長於京都。江崎家毗鄰京都帝國大學與同志社大學校園,父親江崎壯一郎是一位建築師,哥哥是畢業於京都帝大的鐵道工程師。他在首次接觸基督教與美國文化,從第三高等學校畢業後考入東京帝國大學學習物理學。他曾於1944年10月在東大參加湯川秀樹開設的核子理論課。當時也曾親歷東京大轟炸。  江崎分別在1947年、1959年獲得東京大學學士、博士學位。

  

  江崎玲於奈在大學畢業後進入川西機械製作所(現富士通天)工作,起初進行由真空管的陰極放出熱電子的研究工作,因受到約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利發明電晶體的鼓舞,他轉而研究重摻雜的鍺和矽。1956年轉入東京通訊工業株式會社(現Sony)擔任半導體研究室主任研究員,進行PN接面二極體研究。經過一年的嘗試後得知,每當鍺的PN接面寬度變薄時,穿隧效應就會影響電流 - 電壓之特性,隨著電壓增加,電流反而減小,這說明了負電阻。此一發現是物理學中首次出現的固體穿隧效應,也是電子學中的一個新型電子器件:江崎二極體(或稱隧道二極體)的誕生。由於此一突破性發明,1959年他獲得了東大博士學位。  江崎在1973年因「發現半導體和超導體的穿隧效應」,與挪威物理學家伊瓦爾·賈埃弗及英國物理學家布賴恩·約瑟夫森共同獲得諾貝爾物理學獎。基於頒獎典禮的排序,江崎成為世界第一位從卡爾十六世·古斯塔夫國王手中接過諾貝爾獎獎章、獎狀的諾貝爾獎得主。2015年3月,日本茨城2丁目的中央公園設定了江崎、小林誠、朝永振一郎的銅像,以彰顯3位諾貝爾物理學獎得主的功績。

  江崎玲於奈在1960年移居美國,加入IBM湯瑪斯·華森研究中心,然後在1967年成為IBM院士。他預測,如果半導體晶體中人為地構建一維週期性結構變化,將可形成半導體超晶格,並引起諸如差分負電阻效應等獨特現象。他開發了名為「分子束外延」的薄膜晶體生長方法,可以在超高真空中相當精確地調節。他的第一篇關於半導體超晶格的論文發表於IBM時期的1970年,他在1987年曾對這篇原始論文提出如下的註釋:  “《物理評論》評審因缺乏想像力而拒絕出版原始論文,認為該論文太過投機性,沒有嶄新的物理思想。” 然而,這個想法很快就被美國陸軍研究辦公室所接受 1972年,江崎在III-V族半導體中實現了他的超晶格概念,後來這個概念影響了許多領域,如金屬和磁性材料。他因“對隧道、半導體超晶格和量子井的貢獻和領導”榮獲1991年IEEE榮譽獎章,也因“創造和實現人造超晶格晶體的概念,致發新材料的生成與有效的應用”榮獲1998年日本國際獎。赤崎勇、天野浩、中村修二獲得2014年諾貝爾物理學獎後,江崎翌日(10月8日)與赤崎進行電話會談,他們討論了彼此發明的社會影響力,也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因。2015年5月3日,中村在與JAXA負責人的對談中自稱「尤其尊敬的人物」是江崎。江崎發明的超晶格對LED至為重要。

  江崎玲於奈在1992年返日擔任筑波大學校長(至1998年),2000年擔任一屆芝浦工業大學校長,並應首相之邀加入。2003年擔任奈米技術科學獎「」的選考委員。2006年以來擔任的校長。

  江崎玲於奈是少數不以日語羅馬化作為外語姓名的日本人。他新起「Leo」一名取代日語原名的「Reona」(玲於奈)。亦即,在漢字系統以外,通行「Leo Esaki」此一姓名。
江崎玲於奈(,1925年-3月12日),羅馬拼音Leo Esaki(),日本物理學家,美國國家科學院、美國國家工程院、俄羅斯科學院外籍院士。日本學士院會員。現任校長。文化勳章、勲一等旭日大綬章表彰。