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  1953年9月7日,細野秀雄出生於日本埼玉縣川越市。1977年3月東京都立大學(現·首都大學東京)工學部工業科化學科畢業。1982年3月獲得工學博士學位(東京都立大學)。同年4月擔任名古屋工業大學助手,1988年9月擔任美國範德堡大學客座助教授,1990年2月擔任名古屋工業大學工學部材料工學科副教授。  1993年7月轉任東京工業大學工業材料研究所副教授,1995年4月擔任岡崎國立共同研究機構助教授,1997年4月擔任東工大應用材料與結構研究所教授。

  細野秀雄是材料科學的大家,數十年來成就甚多,其包括:透過離子注入創造新氧化物光電材料、闡明並利用玻璃中的缺陷點製造新感光材料、發明磷酸鹽微多孔結晶玻璃、發現新光學變化(以玻璃氧化的光及遊離輻射常磁性為中心)、確立無定形二氧化矽的離子注入效果、確立奈米結晶分散非線性光學材料的製造與應用等。

  1990年代,細野團隊發現p型透明氧化物半導體,實現最初的氧化物紫外發光二極體,併成功開發IGZO透明不定形氧化物半導體技術。諸如三星電子、夏普(供給富士通、索尼、東芝、小米科技)使用的IGZO TFT顯示器技術都是他的發明。

  2006年,細野團隊發現新的高溫超導材料「鐵基超導體LaFeOP」,推翻鐵磁性與超導不相容的舊觀念(BCS理論),改寫了教科書。基於其巨大的實用化潛力,激發了全球科學家的競爭心。據湯森路透統計,細野與神原陽一領銜的鐵基超導體論文引用次數為世界第一。2008年被《科學 (期刊)》評選為「世界十大科技進展」之一,與iPS細胞(2012年諾貝爾生理學或醫學獎)並列。  2008年初,許多中國媒體主張中科大團隊首先突破鐵基超導體的麥克米蘭極限(絕對溫度39K)。但事實上,細野團隊已於2008年1月9日、2月26日分別突破了絕對溫度26K與43K。

  、、日本化學會、、美國光學會、美國陶瓷學會(The American Ceramic Society)。

  細野秀雄曾於2008年臨時接受鴻海科技集團創辦人郭臺銘的會晤邀約。晤後,他盛讚郭「談話有密度、有深度,比起日本人講話總是拐彎抹角,好太多」。
細野秀雄(,1953年-9月7日),,日本材料科學家,專長無機材料與奈米超導材料、無機光材料與電子材料、核磁共振及透明氧化物半導體,現任東京工業大學陶瓷研究所教授。紫綬褒章表彰。