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  高斯定律表明,電場的散度等於總電荷密度formula_6除以電常數:  電極化強度的散度等於負束縛電荷密度formula_8:  而總電荷密度等於束縛電荷密度加上自由電荷密度formula_10:  所以,電位移的散度等於自由電荷密度formula_10:  這與高斯定律的方程式類似。假設,只給定自由電荷密度formula_10,或許可以用高斯方法來計算電位移formula_1。但是,在這裡,不能使用這方法。只知道自由電荷密度formula_10,有時候仍舊無法計算出電位移。思考以下關係式:  假設電場為不含時電場,formula_18,則  假若formula_20,則雖然設定formula_21,電位移仍舊不等於零:formula_22!  舉例而言,擁有固定電極化強度formula_5的永電體,其內部不含有任何自由電荷,但是內在的電極化強度formula_5會產生電場。  只有當問題本身具有某種對稱性,像球對稱性或圓柱對稱性等等,才能夠直接使用高斯方法,從自由電荷密度計算出電位移與電場。否則,必需將電極化強度formula_5和邊界條件納入考量。

  「線性電介質」,對於外電場的施加,會產生線性響應。例如,鐵電材料是非線性電介質。假設線性電介質具有各向同性,則其電場與電極化強度的關係式為  其中,formula_27是電極化率。  將這關係式代入電位移的定義式,可以得到  其中,formula_29是電容率。  所以,電位移與電場成正比;其比率是電容率。另外,  假設這電介質具有均勻性,則電容率formula_29是常數:  定義相對電容率formula_33為  相對電容率與電極化率有以下的關係:  各向異性線性電介質的電容率是個張量。例如,晶體的電容率通常必需用張量來表示。

  如右圖所示,平行板電容器是由互相平行、以空間或電介質相隔的兩片平板導體構成的電容器。假設上下兩片平板導體分別含有負電荷與正電荷,含有的電荷量分別為formula_36、formula_37。又假設兩片平板導體之間的間隔距離超小於平板的長度與寬度,則可以視這兩片平板導體為無限平面;做簡單計算時,不必顧慮邊緣效應。由於系統的對稱性,可以應用高斯定律來計算電位移,其方向必定是從帶正電平板導體指向帶負電平板導體,而且垂直於平板導體;又由於平板導體含有的電荷是自由電荷,不需要知道電介質的性質,就可以應用關於自由電荷的高斯定律來計算電位移。  先計算帶正電平板導體所產生的電位移。試想一個扁長方形盒子,其頂面和底面分別在這平板導體的兩邊,平行於平板導體;而盒子的其它四個側面都垂直於平板導體。根據關於自由電荷的高斯定律,  其中,formula_39是扁長方形盒子的閉合表面,formula_40是帶正電平板導體所產生的電位移,formula_41是微小面元素。  由於扁長方形盒子的四個側面的面向量都與formula_40向量相垂直,它們對於積分的貢獻是零;只有盒子的頂面和底面對於積分有貢獻:  其中,formula_44是盒子頂面、底面的面積。  所以,formula_40向量的方向是從帶正電平板導體垂直地向外指出,大小為  類似地,可以計算出帶負電平板導體所產生的電位移;formula_47向量的方向是垂直地指向帶負電平板導體,大小為  應用疊加原理,可以計算這兩片帶電平板導體一起產生的電位移。在這兩片平板導體之間,formula_40和formula_47的方向相同;應用疊加原理,電位移的大小等於平板導體的表面電荷密度:formula_51。在兩片平板導體的共同上方或共同下方,formula_40和formula_47的方向相反;應用疊加原理,電位移的大小等於零。  假設電介質的電容率為formula_29,則在兩片平板導體之間,電場的大小為  假設兩片平板導體的間隔距離為formula_56,則電壓formula_57為  這平行板電容器的電容formula_59為
在電磁學裡,電位移是出現於馬克士威方程組的一種向量場,可以用來解釋電介質內自由電荷所產生的效應。電位移formula_1以方程式定義為