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  一些CVD技術被廣泛地使用及在文獻中被提起。這些技術有不同的起始化學反應機制(如活化機制)及不同的製程條件。

  本節討論通常用於積體電路的CVD工藝。不同的材料會應用於不同的環境。

  多晶矽是從矽烷(SiH4)沉積所得到的。使用以下反應:  這種反應通常使用低壓化學氣相沉積系統(LPCVD),使用單純的矽烷或用70-80%的氮矽烷作為原料。在溫度在600°C至650°C之間,壓力為25~150帕斯卡的條件下,沉積速度在每分鐘10至20奈米之間。另一種工藝使用氫為還原劑。氫氣會降低增長速度,所以溫度提高到850甚至1050°C進行補償。 多晶矽的沉積可以和摻雜同時進行。即把磷,砷或者乙硼烷加入CVD反應腔。乙硼烷的會令增長率增加,但砷化氫和磷化氫會令沉積速度減小。

  SiH+O➡️SiO+2H  Parylene-N的單體經過高溫爐(約攝氏600-800度)裂解後會形成自由基,而最後隨著帶入的惰性氣體沉積在低溫的表面上

  大多數parylenes是鈍化薄膜或塗層。這意味著他們保護的裝置可以防止水,化學品的侵害。這是一個重要的特點,然而在許多應用上都需要鍵結的其他材料在聚對二甲苯上,例如對二甲苯對二甲苯,對二甲苯表面固定催化劑或酶...。一些的反應性對二甲苯,例如:1.胺基對二甲苯(一個胺在每個重複單元,Kisco公司產品)2.一甲基胺對二甲苯(一甲基胺每個重複單元,Kisco公司產品)  一甲基胺對二甲苯比胺基對二甲苯有更大的反應性,因為它帶著更強的礆基。當相鄰的苯環胺組,胺基,是在穩定的共振,因此變得更加酸性,相對鹼性較弱。然而[胺基對二甲苯]是更容易合成,因此它的成本較低。
化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前趨物下,在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品,但大多會隨著氣流被帶走,而不會留在反應腔(reaction chamber)中。