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  像所有的SDRAM實現方法一樣,DDR2 SDRAM有一個同步介面,在響應控制輸入前會等待一個時鐘訊號,這樣就能和計算機的系統匯流排同步。像之前的DDR,DDR2 I/O 緩衝器在時鐘訊號的上升沿和下降沿都傳輸資料(一種叫做"double pumping"的技術)。DDR和DDR2的關鍵區別是:DDR2記憶體單元的核心頻率是等效頻率的1/4(而不是1/2)。這需要一個4-bit-deep的預取佇列,在並不用改變記憶體單元本身的情況下,DDR2能有效地達到DDR資料傳輸速度的兩倍。  DDR2的等效頻率由於電氣介面的改進(包括on-die termination, prefetch buffers 和 off-chip drivers)而大增。然而,CAS等待時間卻增長了。DDR2預讀取是4位,而DDR預讀取是2位,DDR3預讀取是8位。DDR SDRAM一般是2到3個匯流排週期的讀取等待時間,而DDR2一般是4到6個匯流排週期的讀取等待時間。  另外增加的頻寬導致的成本是晶片封裝更昂貴且更困難,因為BGA封裝相比於先前採用TSSOP封裝技術生產的DDR SDRAM和SDR SDRAM更昂貴且更困難。這種封裝的改變需要更高的匯流排速度以維持訊號的完整。  節能得以實現主要是由於生產過程中的模具收縮導致工作電壓的下降(從DDR的2.5V到DDR2的1.8V)。更低的記憶體時脈頻率也能使應用程式不需要最高的可用資料傳輸率而得以降低功耗。  根據JEDEC建議的最高電壓是1.9V,並且建議對於要求記憶體穩定使用的環境絕不能超過此值(例如伺服器或其他任務關鍵裝置)。此外,JEDEC規定記憶體模組必須在受到永久損害前承受2.3V的電壓(雖然它們可能正常工作時並不在此電壓水平)。

  

  現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200,但必須在高電壓下運作,以維持其穩定性。

  2003年第二季度,DDR2推出了兩種頻率的記憶體:其內部時脈頻率分別為200MHz(對應PC2-3200)和266MHZ(PC2-4200)。它們在延遲方面的表現不如原來的DDR記憶體,使得總訪問時間更長。然而,原來的DDR技術時脈頻率可超出200MHz(400MT/s)。更高效能的DDR晶片雖存在,但是JEDEC已表示他們不會將其標準化。  2004年底由於模組到達更低的延遲變成現實,DDR2相比更早的DDR標準變得具有競爭力。

  DDR2 DIMMs沒有被設計成與DDR DIMMs向後相容。DDR2 DIMMs的凹口位置與DDR DIMMs是不同的,並且用於桌上型電腦的記憶體針腳數DDR2高於DDR DIMMs。DDR2有240針,DDR有184針。用於膝上型電腦的有200針的DDR和DDR2,但是DDR凹口的位置與DDR2有微小的不同。  高效能的DDR2 DIMMs與低效能的DDR2 DIMMs是相容的;但是,混用高效能的記憶體只能以低效能記憶體的頻率工作。在系統中,更高效能的匯流排與低效能的DDR2記憶體結合,則最終效能由低效能的記憶體決定;然而在許多系統中這種效能損失可以通過設定記憶體計時以致更低的延時來減緩。

  是指筆記型電腦上的暫存記憶體,以acer,asus電腦為例,內均建南亞科技,少數高階機種採用威剛科技。
第二代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(英語:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般稱為DDR2 SDRAM),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供了相較於DDR SDRAM更高的執行效能與更低的電壓,是DDR SDRAM(雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體)的後繼者。