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  1929年1月30日,赤崎勇出生於日本鹿兒島縣,幼時曾有躲避美軍戰機的經歷,終身反戰。1952年京都大學理學部畢業,1964年獲得工學博士(名古屋大學)學位。其後曾服務於神戶工業(現富士通天)、名古屋大學、松下電器等單位。

  在1960年代末,他開始工作於氮化鎵(GaN)基藍光LED。一步一步,他改進的GaN晶體質量和器件結構,在松下研究所東京公司(英語:MRIT)那裡,他決定採用有機金屬化學氣相沉積法作為首選的GaN生長方法。  1986年,赤崎勇以低溫沉積(AlN)氮化鋁緩衝層技術成功生產高品質的GaN晶體。1989年,他與門生天野浩完成p型GaN的結晶化,首次觀測到p型材料的劇烈發光,並以GaN的pn構成完成了藍色發光二極體。同一時期,赤崎的學生也包括日後的中國知名企業家唐駿。  1990年,赤崎師徒完成室溫下紫外線暴露GaN的誘導放射。基於上述的各階段突破,1992年,他們發明了人類史上第一個高亮度藍色發光二極體。1995年,進一步完成注入量子多重化電流的GaN/GalnN誘導放射。自此開始,赤崎勇就一直是熱門的諾貝爾獎候選人之一。在2009年至2014年的名古屋大學官方簡介中,赤崎一直與另外4位名大的諾貝爾獎得主(野依、小林、益川、下村)並列。

  赤崎教授的發明產生了專利,專利被獎勵特許權使用費,其中一部分用於建立2006年10月20日開設的「名古屋大學赤崎紀念研究館」(英語:Nagoya University Akasaki Institute) 。研究館建有一個展示藍光LED研究/開發和應用的歷史的LED畫廊,一個科研合作辦公室,一個創新研究實驗室,和赤崎教授的頂部六樓的辦公室。該研究館坐落在名古屋大學東山校區合作研究區域的中心。

  赤崎勇與天野浩、中村修二於2014年10月7日獲得諾貝爾物理學獎。翌日赤崎與江崎玲於奈(1973年諾貝爾物理學獎得主)進行電話會談,他們討論了彼此發明的社會影響力,也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因。  赤崎是首位九州出身的日本人諾貝爾獎得主,亦締造若干國內紀錄,包括首次師徒同時獲獎(與天野浩);獲獎年齡第二高(85歲,僅次於南部陽一郎的87歲);最高齡出席頒獎典禮。  根據諾貝爾獎委員會,有關3人貢獻的主要區別是:

  2018年4月,名古屋廣小路商店街設定3座手形像,以紀念下村修、赤崎勇、天野浩3人的功績。
赤崎勇(,1929年-1月30日),日本化學工程學家,曾任松下電器研究員,現任名城大學終身教授、名古屋大學特別教授及名譽教授。美國國家工程院外籍院士。。紫綬褒章、文化勲章、勳三等旭日中綬章表彰。文化功勞者。