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  1993年,中村修二對名古屋大學的赤崎勇、天野浩師徒有關p型GaN(氮化鎵)的早期貢獻,提出正確的理論解釋,並獨立發明以InGaN(基於氮化銦鎵)晶體制作藍色發光元件的方法(Two flow MOCVD),使得高亮度藍色發光二極體正式實用化,開啟愛迪生髮明白熾燈之後的又一次人類照明革命。

  

  1954年5月22日,中村修二誕生於愛媛縣西宇和郡。1965年遷居兵庫縣尼崎市,後來就讀普通科,亦參加排球社。1973年畢業後,原欲投考物理科系,但出於「就業不易」的考量,最終選擇沒有物理系的德島大學。1977年從工學部電氣工程科畢業,1979年獲得同校工學碩士學位。完成學業後,中村原定進入京瓷公司。但為照顧大學時代出生的小孩,改入鄰近的日亞化學工業(日亞化)公司,在開發課工作。

  中村就職後,竭力主張開發藍色鐳射二極體的前景,日亞化因此撥給中村3億日圓的研發經費。1987年至1988年9月,中村赴美國佛羅里達大學留學一年,回到日亞化投入2億日圓著手改造有機金屬化學氣相沉積法裝置。儘管受到公司新社長的反對,但中村仍堅持進行研究活動。  1993年,中村發明雙流式MOCVD方法,日亞化得以量產實用級高亮度藍色發光二極體,並取得LED照明市場的全球獨霸地位,其後數年獲利達數千億日圓。翌年以論文「InGaN高亮度藍色LED的相關研究」取得德島大學論文博士學位(工學)。1995年,他成功實現InGaN/GaN藍色鐳射二極體的室溫下脈衝振盪。  1999年,中村離職,翌年應楊祖佑之邀擔任加州大學聖塔芭芭拉分校材料工學院教授。

  中村修二發明的雙流式MOCVD方法即通稱的。中村赴美后,圍繞著專利與專利轉讓問題,中村與日亞化展開了一系列訴訟。2004年1月30日,中村正式控告日亞化,要求補償發明的對價。一審法庭基於「中村的發明貢獻不小於一半」的判斷,判決日亞化需支付200億日圓。但東京高等法院最終在2005年1月11日做出「建議和解」的裁決,日亞化支付中村8億4000萬日圓,自此買斷中村在該公司的所有發明。當日,中村修二及其律師在記者會抨擊「日本司法制度很爛」。  2014年11月3日,中村因獲頒文化勳章返國召開記者會,自道「希望與日亞化修復關係」,但未如願。

  赴美成為加州大學教授之後,中村修二亦陸續兼任信州大學(2002年)、愛媛大學(2006年)客座教授,以及復旦大學(2009年)顧問教授。  2005年,中村發明可以簡單地將水光電解取出氫氣的方法。2007年1月,他宣佈發明世界第一個非極性藍紫色鐳射二極體。  中村修二名列2002年湯森路透引文桂冠獎,並在2014年與赤崎勇、天野浩同獲諾貝爾物理學獎。天野教授其時謙稱:「中村先生是實驗之神,迅速推進藍光LED的實用化。讓氮化鎵材料受到重視的最大功臣,除了中村沒有第二個人。」根據諾貝爾獎委員會,有關3人貢獻的主要區別是:

  在2014年《日本經濟新聞》的專訪中,中村解釋自己為何入籍美國: 對此,京都大學教授山中伸彌在《日經商務週刊》表示: 2015年5月3日,中村修二在一場與JAXA負責人的對談中表示,江崎玲於奈(1973年諾貝爾物理學獎得主)是他「尤其尊敬的人物」。江崎發明了對LED至為重要的超晶格。
中村修二(,1954年-5月22日),生於日本愛媛縣的日裔美國公民,專業為電子工程學家,商業用高亮度藍色發光二極體與青紫色鐳射二極體的發明者,世稱「藍光之父」。現任美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授、愛媛大學客座教授。文化勳章獲得者。文化功勞者。