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  Fully Buffered DIMM架構新創立了一顆先進記憶體緩衝(Advanced Memory Buffer,AMB)晶片,這顆晶片被安插在記憶體控制器與記憶體模組間,且與「傳統DRAM所用的並列匯流排架構」不同的,FB-DIMM是以序列介面來連線AMB晶片與記憶體控制器,如此可以在不增加記憶體控制器的線路數下提升記憶體的頻寬,同時具有技術可行性。使用此架構後,記憶體控制器不需要再直接將資料寫入記憶體模組,而是透過AMB晶片來完成這項工作。此外AMB也能以緩衝方式來抵補訊號劣化並重新傳送訊號。除此之外,AMB也能提供錯誤更正,而不需要偏勞到記憶體控制器或處理器,另外也能提供「位元通道容錯移轉校正(Bit Lane Failover Correction)」能力,能查出哪一條資料路徑損壞,並在運作過程中將該壞損路徑移除不用,如此能大幅減少命令資訊傳輸、位址資訊傳輸的錯誤。  此外,因為讀取及寫入都已經透過緩衝處理,所以記憶體控制器可同時執行讀取與寫入。如此不僅接線更簡化、記憶體頻寬更大,且就理論而言,記憶體控制器可以不用在意與理會所使用的是何種記憶體晶片,可以是以前的DDR2抑或是現在的DDR3,理論上可直接替換。不過,Fully Buffered DIMM的作法也有其不利處,特別是在功耗(英語:Power Consumption)及資料存取需求的延遲(Latency,俗稱:Lag)上。然而此方式應是未來最無顧慮的記憶體效能提升法。
Fully Buffered DIMM(或FB-DIMM)是一種記憶體解決方案,用來增加記憶體系統的穩定性、速度、及容量密度。就傳統而言,記憶體控制器上的資料線必須與每一個DRAM模組相連線,如此記憶體無論是拓寬存取介面的頻寬或加快存取介面的速度,都會使介面的訊號轉差,如此不僅限制了速度的提升,也會限制記憶體系統的記憶空間提升,而FB-DIMM則是用不同的方式手法來解決這個問題。JEDEC組織已經正式敲定釋出FB-DIMM的規範標準。