Can you summarize the following document?
        
  電子在導電聚合物的共軛主鏈上,(通常)通過π軌道的重疊而發生離域,產生價帶充滿電子的延伸π系統。從該π系統去除電子(“p-摻雜”)或新增電子(“n-摻雜”)時,均產生帶電的雙極化子單元(圖1)。產生的雙極化子作為一個整體沿著聚合物鏈移動,它是聚合物具導電性的微觀原因。  共軛聚合物中的摻雜水平一般較高,在20～40%左右,遠比半導體中的摻雜(<1%)要高。聚噻吩類聚合物的電導率一般低於1000 S/cm。McCullough 等曾報道製得電導率達1000 S/cm的碘摻雜的聚(3-十二烷基噻吩)。  導電聚合物的氧化和反離子的引入(摻雜)可以通過電化學或化學方法同時實現。電化學合成聚噻吩時,溶劑中的電解質在噻吩在陽極表面發生聚合時與聚合物相結合,在電極上生成含有反離子的聚噻吩薄膜,該薄膜很容易從電極上剝下來。除此以外,摻雜也可在合成不帶電的導電聚合物後進行。  導電聚合物的還原摻雜(n-摻雜)較氧化摻雜少見。對聚(聯噻吩)的電化學還原摻雜進行研究時,結果發現還原摻雜不僅程度低於氧化摻雜,迴圈不如氧化摻雜高效、需要更多迴圈才能實現最高摻雜程度,而且還原摻雜似乎是動力學不利的過程,這可能與反離子在聚合物中的擴散有關。  聚噻吩的摻雜可用許多試劑實現。碘和溴摻雜的聚合物一般導電率較高,但穩定性不高,會逐漸從材料中揮發出去。另一方面有機酸如三氟乙酸、丙酸和磺酸摻雜的聚噻吩雖不如碘摻雜聚噻吩的導電率高,但具有較好的環境穩定性。此外三氯化金和三氟甲磺酸也是可用的p型摻雜劑。  氯化鐵氧化聚合製取聚噻吩時還伴隨有氯化鐵對聚合物的摻雜作用,例如,溶解在甲苯中的聚(3-辛基噻吩)可被氯化鐵六水合物(乙腈溶液)摻雜,並被製成導電率達1 S/cm的薄膜。而且,基體輔助鐳射解吸/電離質譜(MALDI-MS)研究還發現,在通過氯化鐵氧化聚合製取聚(3-己基噻吩)衍生物時,氯化鐵還可以對聚合物發生氯代作用,生成相應的氯代衍生物。

  有關聚噻吩的綜述:
聚噻吩(Polythiophene,縮寫PT)是噻吩聚合生成的高分子化合物。在通過摻雜向其共軛的π軌道引入或去除電子時,它可轉變為導體。因此聚噻吩及其類似物是近些年的研究熱門課題,2000年諾貝爾化學獎即是頒給研究這一主題的艾倫·黑格、艾倫·麥克德爾米德和白川英樹。