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  卡帕索於1973年從羅馬大學獲得物理學博士學位,畢業後留在同一大學從事博士後研究工作。1976年,卡帕索以訪問科學家的身份加入美國貝爾實驗室從事科研工作。他在1984年到1987年間獲得貝爾實驗室傑出員工獎,在1997年成為貝爾實驗室特別會員。卡帕索在貝爾實驗室擔任的領導職位包括量子現象與器件部門總監,半導體物理研究部門總監,以及物理研究副主席。他於2003年正式加入哈佛大學從事教研工作。  卡帕索是半導體器件領域的專家,尤其在能級結構設計方面有傑出貢獻,並將其應用於新型低噪聲量子井雪崩光電二極體,異質結電晶體,電子儲存裝置和鐳射器中。他和他的同事於1994年在貝爾實驗室發明了量子級聯鐳射器。不同於普通的半導體鐳射器依賴能級間的帶隙產生光子,量子級聯鐳射器通過量子阱中導電帶能級間的躍遷產生光子。 量子級聯鐳射器的發明推動了半導體物理和器件的發展,現已成為最為廣泛應用的中遠紅外鐳射光源,其應用領域包括大氣監測以及光譜分析。  目前,卡帕索在哈佛大學教授固體物理學和量子技術,並帶領科研團隊從事量子級聯鐳射器,等離激子學與超材料,以及卡西米爾效應的研究。
費德里科·卡帕索(,1949年-6月24日),出生於義大利羅馬,應用物理學家,量子級聯鐳射器的發明人之一。現任教於美國哈佛大學工程與應用科學學院。