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  一個新的JEDEC標準JESD209-2F定義了low-power DDR介面標準。它與DDR1或DDR2 SDRAM並不相容,但類似:  低功耗狀態基本相似,LPDDR,一些額外的部分陣列更新選項。 列位址(Column address)C0 bit從未轉讓,並假定為零。 突發傳輸(Burst transfers)從而始終在偶數地址開始。  LPDDR2也有一個低電平有效的chip select(高時,一切都是NOP)和時鐘(clock)開啟CKE訊號,操作像SDRAM。

  2012年5月,JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2,LPDDR3提供更高的資料傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的資料傳輸速率,並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT(On Die Termination)與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝(package-on-package)與離散封裝兩種形式。

  2013年3月14日,JEDEC固態技術協會舉辦會議,探討未來移動裝置的新標準,如LPDDR4。

  三星電子提出最新的LPDDR4標準,與LPDDR4相同,只是透過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節省額外的功耗,也就是更省電。

  2017年,JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格,但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。  JEDEC於2019年2月19日釋出了JESD209-5,低功耗雙倍資料速率5(LPDDR5)標準。
移動DDR(英文:Mobile DDR)(也稱MDDR、Low Power DDR或LPDDR)是DDR SDRAM的一種,專門用於移動式電子產品,例如智慧電話等。