La deposizione dello strato di ossido di silicio amorfo (a-SiO x ) di circa 2 μm di spessore sui materiali dentali è stata ottenuta tramite una procedimento in un reattore a radio frequenza utilizzando la tecnica del plasma-spray (RF-PEVCD) avvalendosi di silano (SiH 4 ) e ossido nitroso (N 2 O) rispettivamente come silicone e precursore dell'ossigeno. Il reattore di crescita era composto da un sistema accoppiato PECVD formato da due elettrodi paralleli con area di 12cmx 12cm ciascuno, collocati ad una distanza relativa di 20mm. I campioni sono stati messi a contatto col catodo a faccia all'insù e si è proceduto a 2 fasi di deposizione separate per ricoprire ogni lato. I gas precursori sono stati iniettati all'interno del reattore tramite un collettore dei gas con manometri che controllavano il flusso di ogni singolo gas, mentre i prodotti dello scarto della reazione ed i gas esausti sono stati estratti tramite un sistema di pompaggio consistente in una pompa turbo-molecolare ed un riversatore meccanico. La scintilla per la scarica di plasma-spray è stata potenziata tramite un campo elettrico RF, lavorante ad una frequenza stabilita di 13,56 MHz, che è stata applicata al catodo tramite un generatore di RF (RFPP-RF5S); nel contempo è stata utilizzata una rete di impedenza (Huttinger -FR. 1500°) per accordare il carico di plasma.I parametri sono stati mantenuti fissi per tutti i procedimenti di deposizione ai seguenti valori: il tasso del flusso di ammonio verso il silano ([N 2 O]/[SiH 4 ]) era 40; il flusso totale del gas ([N 2 O+SiH 4 ]) era 4,6 10 -5 mol s -1 (61,5 sccm); la pressione totale all'interno del reattore era di 53 Pa (400 mTorr); la potenza di densità nominale applicata al catodo era di 208 W m -2 . La temperatura del reattore è stata misurata con una termocoppia KF a diretto contatto con l'unità scaldante, ed è sempre stata mantenuta più bassa dei 343K (70°C). La temperatura del substrato (sempre inferiore alla temperatura del reattore) è stata calcolata con una curva calibrata.