Con una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, la memoria Samsung eUFS 3.1 de 512 GB cuenta con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s).	
La nueva memoria eUFS 3.1 de 512GB de Samsung es el triple de rápida que la anterior