세계 1위 반도체업체인 미국 인텔이 마이크론테크놀로지와 손잡고 차세대 메모리반도체 시장에 뛰어들었다. 세계 메모리반도체 시장을 장악하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스에 위협이 될 수 있다는 우려가 나온다. ▶관련기사 A5면인텔과 마이크론은 29일 공동 기자회견을 열고 개발 중인 차세대 메모리반도체 ‘3D 크로스포인트’ 기술을 공개했다. 마크 애덤스 마이크론 최고경영자는 “낸드플래시보다 속도가 1000배 빠른 메모리”라며 “내년에 미국 유타공장에서 대량 생산을 시작할 것”이라고 말했다.메모리반도체는 임시 저장용 D램과 반영구 저장장치인 낸드플래시로 나뉜다. PC 등에서 데이터가 생성되면 D램을 거친 뒤 낸드에 저장된다. 3D 크로스 포인트는 D램과 낸드의 장점만 결합해 속도를 빠르게 한 것이라고 인텔 관계자는 설명했다. 삼성과 하이닉스도 Re램 P램 등 비슷한 반도체를 이미 개발했지만 양산은 2018년께나 가능할 것으로 전망하고 있다. 인텔과 마이크론의 발표대로 3D 크로스포인트의 성능이 뛰어나고 양산에 들어가면 기존 메모리반도체 시장을 빠르게 잠식할 것이란 우려가 나온다.
저장공간 증대가 핵심인 테크닉은?
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