ماه گذشته سامسونگ مجبور به پرداخت جریمه‌ی ٫ میلیون دلار برای نقض حق ثبت اختراع مربوط به طراحی آیفون به اپل شد. در حال حاضر، سامسونگ دوباره مجازات شده است این مجازات به دلیل استفاده از حق مالکیت معنوی متعلق به یک شرکت دیگر بدون اخذ مجوز است. در حقیقت، بخش مجوز دهنده ایالات متحده در یک دانشگاه کره جنوبی بود که قضیه را مطرح کرد و منجر به تصمیم هییت منصفه فدرال مبنی بر نقض پتنت مبتنی بر فناوری FinFET ایلات متحده توسط سامسونگ شد. مبلغی که سامسونگ باید به KAIST IP US (موسسه علمی‌و فناوری کره ای) بپردازد میلیون دلار است. از آنجایی که هییت منصفه تصریح کرده است که سامسونگ به صراحت حق ثبت اختراع را نقض کرده قاضی مجاز به استفاده از گزینه "خسارت سه برابر" است که مبلغ جریمه را به مبلغ ٫ میلیارد دلار تبدیل می‌کند. علاوه بر سامسونگ، کوالکام و شرکت GlobalFoundries نیز همان پروتکل را نقض نموده‌اند. با این وجود، این دو توانستند بدون پرداخت خسارت، از مهلکه فرار کند. FinFET یک ترانزیستور است که در طراحی پردازنده‌هایی استفاده می‌شود که از الکترود‌های مانند دروازه استفاده می‌کنند. این تکنولوژی اجازه می‌دهد چند دروازه در یک ترانزیستور تکی باز شود که به بهبود عملکرد و مصرف انرژی کمتر در تراشه‌های کوچکتر منجر می‌شود. با توجه به شکایت، سامسونگ در ابتدا استفاده از FinFET را رد کرد، اما پرونده می‌گوید که سامسونگ نظر خود را زمانی متوجه شد که اینتل مجوز FinFET را برای تراشه‌های این شرکت استفاده کرده، تغییر داد. سامسونگ این اتهام را رد کرد و اعلام کرد که برای توسعه FinFET با دانشگاه همکاری کرده است. غول فناوری افزود که معتقد است که این حق اختراع نامعتبر بوده و درخواست تجدید نظر خواهد کرد.