This paper reports the realization of superconducting topological-insulator nanowires based on (Bi1−xSbx)2Te3 thin films. Two rectangular pads of palladium are deposited on a BST thin film with a separation of 100-200 nm, converting the BST beneath the pads into a superconductor. The interface is epitaxial and has a high electronic transparency, leading to a robust superconductivity induced in the nanowire. This platform is promising for future studies of Majorana zero modes. Topological insulators (TI) have gapless surface states whose gapless nature is protected by time-reversal symmetry.

However, the size quantization effect turns these 1D states into peculiar one-dimensional (1D) states that are gapped due to the formation of subbands1,2. These tunable 1D states have been proposed to be a promising platform to host Majorana zero modes (MZMs) in the presence of proximity-induced superconductivity. However, a suitable method to realize an epitaxial interface between a TI nanowire and a superconductor has been lacking. This work found that depending on the Pd deposition method, Pd can diffuse deeper into the BST film and the conversion of BST into a PdTe2-based superconductor can take place in the whole film.
บทความนี้รายงานถึงการใช้เส้นลวดนาโนฉนวนทอพอโลยีตัวนำยิ่งยวดที่ใช้ฟิล์มบาง (Bi1−xSbx)2Te3 แผ่นแพลเลเดียมสี่เหลี่ยมสองแผ่นถูกวางอยู่บนฟิล์มบางของ BST โดยมีระยะห่างระหว่างกัน 100-200 นาโนเมตร โดยแปลง BST ใต้แผ่นอิเล็กโทรดให้เป็นตัวนำยิ่งยวด อินเทอร์เฟซเป็นแบบ epitaxis และมีความโปร่งใสทางอิเล็กทรอนิกส์สูง ซึ่งนำไปสู่ความเป็นตัวนำยิ่งยวดที่แข็งแกร่งในเส้นลวดนาโน แพลตฟอร์มนี้มีแนวโน้มสำหรับการศึกษาโหมด Majorana Zero ในอนาคต ฉนวนทอพอโลยี (TI) มีสถานะพื้นผิวที่ไม่มีช่องว่างซึ่งธรรมชาติที่ไม่มีช่องว่างได้รับการปกป้องโดยสมมาตรการกลับเวลา อย่างไรก็ตาม เอฟเฟกต์การหาปริมาณขนาดเปลี่ยนสถานะ 1D เหล่านี้ให้เป็นสถานะมิติเดียว (1D) ที่แปลกประหลาดซึ่งมีช่องว่างเนื่องจากการก่อตัวของแถบย่อย สถานะ 1D ที่ปรับได้เหล่านี้ได้รับการเสนอให้เป็นแพลตฟอร์มที่มีแนวโน้มในการโฮสต์โหมด Majorana Zero (MZM) ต่อหน้าตัวนำยิ่งยวดที่เหนี่ยวนำให้เกิดความใกล้ชิด อย่างไรก็ตาม ยังขาดวิธีการที่เหมาะสมในการตระหนักถึงส่วนต่อประสานระหว่าง epitaxis ระหว่าง TI nanowire และตัวนำยิ่งยวด งานนี้พบว่าขึ้นอยู่กับวิธีการสะสม Pd Pd สามารถแพร่กระจายลึกเข้าไปในฟิล์ม BST และการแปลง BST เป็นตัวนำยิ่งยวดที่ใช้ PdTe2 สามารถเกิดขึ้นได้ในภาพยนตร์ทั้งหมด
spam fails_task lang_mismatch pii not_appropriate hate_speech sexual_content quality toxicity humor helpfulness creativity violence