La configuración básica de un circuito que utiliza un transistor FET (Transistor de Efecto de Campo) es la configuración de "fuente común". En esta configuración, el transistor FET se utiliza para amplificar una señal de voltaje aplicada a su terminal de compuerta (gate) y la señal amplificada se toma de la salida del circuito a través de su terminal de drenador (drain). La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la fuente (source) del FET.

La configuración básica de fuente común se muestra en la figura a continuación:

          +VDD                +VDD
            |                    |
            R                    R
            |                    |
  IN -----/\/\/\-----|<|--G----/\/\/\-----OUT
                      |          |
                      |          |
                     ---         |
                     ---        --- RL
                      |          |
                     GND        GND


Donde:

IN es la señal de entrada.
R es la resistencia de polarización de la compuerta.
G es la compuerta del transistor FET.
OUT es la señal de salida.
RL es la carga conectada a la salida del circuito.
VDD es la fuente de alimentación positiva (usualmente +5V o +12V).
GND es la referencia de tierra.
En esta configuración, la señal de entrada se aplica a través de la resistencia de polarización R a la compuerta del FET. La polarización de la compuerta establece el punto de operación del FET y controla su conductancia. La señal amplificada aparece en la salida del circuito, en el terminal de drenador del FET, y puede ser acoplada a una carga RL.
การกำหนดค่าพื้นฐานของวงจรที่ใช้ทรานซิสเตอร์ FET (Field Effect Transistor) คือการกำหนดค่า "แหล่งร่วม" ในการกำหนดค่านี้ ทรานซิสเตอร์ FET ใช้เพื่อขยายสัญญาณแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับเทอร์มินัลเกต และสัญญาณที่ขยายจะถูกนำมาจากเอาต์พุตของวงจรผ่านทางเทอร์มินัลเดรน สัญญาณอินพุตจะถูกใช้ระหว่างเกตและแหล่งที่มาของ FET การกำหนดค่าแหล่งที่มาทั่วไปขั้นพื้นฐานจะแสดงในรูปด้านล่าง: +VDD +VDD | | RR | | ใน -----/\/\/\-----|<|--G----/\/\/\-----ออก | | | | --- | --- --- RL | | GND GND โดยที่: IN คือสัญญาณอินพุต R คือความต้านทานอคติของเกต G คือประตูของทรานซิสเตอร์ FET OUT คือสัญญาณเอาท์พุต RL คือโหลดที่เชื่อมต่อกับเอาต์พุตของวงจร VDD คือแหล่งจ่ายไฟบวก (ปกติคือ +5V หรือ +12V) GND คือข้อมูลอ้างอิงภาคพื้นดิน ในการกำหนดค่านี้ สัญญาณอินพุตจะถูกส่งผ่านตัวต้านทานไบแอส R ไปที่เกตของ FET อคติของเกตจะกำหนดจุดปฏิบัติการของ FET และควบคุมสื่อกระแสไฟฟ้า สัญญาณที่ขยายจะปรากฏที่เอาต์พุตของวงจร ที่ขั้วเดรนของ FET และสามารถต่อเข้ากับโหลด RL ได้
spam fails_task lang_mismatch pii not_appropriate hate_speech sexual_content quality toxicity humor helpfulness creativity violence