Un transistor de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés) es un dispositivo semiconductor que funciona como un interruptor controlado por voltaje. El funcionamiento interno de un FET se basa en la capacidad de una pequeña cantidad de carga eléctrica para controlar grandes cantidades de corriente eléctrica.

En un FET, hay tres terminales principales: la fuente (S), el drenador (D) y la compuerta (G). La fuente y el drenador son dos regiones de material semiconductor dopado con impurezas para crear un tipo específico de material (normalmente N para un FET de canal n o P para un FET de canal p). La compuerta es una región de material aislante, como óxido de silicio, que se coloca entre la fuente y el drenador.

Cuando no se aplica voltaje a la compuerta, la carga eléctrica fluye libremente desde la fuente hacia el drenador. Sin embargo, si se aplica un voltaje a la compuerta, se crea un campo eléctrico que cambia la cantidad de carga eléctrica que puede fluir entre la fuente y el drenador. En un FET de canal n, por ejemplo, se aplica un voltaje negativo a la compuerta para repeler los electrones en la región de canal que se encuentra entre la fuente y el drenador, lo que reduce la cantidad de carga eléctrica que puede fluir. En un FET de canal p, se aplica un voltaje positivo para atraer los electrones y aumentar la cantidad de carga eléctrica que puede fluir.

El FET, por lo tanto, actúa como un interruptor controlado por voltaje, ya que la cantidad de corriente eléctrica que fluye a través del dispositivo se controla mediante la cantidad de voltaje aplicado a la compuerta. Además, como la cantidad de carga eléctrica que fluye a través del dispositivo es proporcional a la cantidad de voltaje aplicado a la compuerta, un FET también se puede utilizar como un amplificador de señal.
ทรานซิสเตอร์สนามผล (FET) เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ทำหน้าที่เป็นสวิตช์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า การทำงานภายในของ FET ขึ้นอยู่กับความสามารถของประจุไฟฟ้าจำนวนเล็กน้อยในการขับเคลื่อนกระแสไฟฟ้าปริมาณมาก ใน FET มีเทอร์มินัลหลักสามส่วน: แหล่งที่มา (S), ท่อระบายน้ำ (D) และเกต (G) แหล่งที่มาและท่อระบายคือบริเวณสองส่วนของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่เจือด้วยสิ่งเจือปนเพื่อสร้างวัสดุประเภทเฉพาะ (โดยทั่วไปคือ N สำหรับ FET ที่ไม่ใช่ช่อง P) ประตูเป็นบริเวณที่มีวัสดุฉนวน เช่น ซิลิคอนออกไซด์ ที่วางอยู่ระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ เมื่อไม่มีแรงดันไฟฟ้าจ่ายไปที่ประตู ประจุไฟฟ้าจะไหลอย่างอิสระจากแหล่งกำเนิดไปยังท่อระบายน้ำ อย่างไรก็ตาม หากจ่ายแรงดันไฟฟ้าให้กับประตู จะมีการสร้างสนามไฟฟ้าขึ้นเพื่อเปลี่ยนปริมาณประจุไฟฟ้าที่สามารถไหลระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ ตัวอย่างเช่น ใน FET แบบ n-channel แรงดันไฟฟ้าลบจะถูกจ่ายไปที่เกตเพื่อขับไล่อิเล็กตรอนในบริเวณช่องสัญญาณระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ ซึ่งจะช่วยลดปริมาณประจุไฟฟ้าที่สามารถไหลได้ ใน p-channel FET จะใช้แรงดันไฟฟ้าบวกเพื่อดึงดูดอิเล็กตรอนและเพิ่มปริมาณประจุไฟฟ้าที่สามารถไหลได้ FET จึงทำหน้าที่เป็นสวิตช์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า เนื่องจากปริมาณกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านอุปกรณ์จะถูกควบคุมโดยปริมาณแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับเกต นอกจากนี้ เนื่องจากปริมาณประจุไฟฟ้าที่ไหลผ่านอุปกรณ์เป็นสัดส่วนกับปริมาณแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับเกต FET จึงสามารถใช้เป็นเครื่องขยายสัญญาณได้
spam fails_task lang_mismatch pii not_appropriate hate_speech sexual_content quality toxicity humor helpfulness creativity violence