Característiques elèctriques de TFT p-Si
Dispositiu de prova característica elèctrica TFT
Característica típica de sortida i transferència
corbes de dispositius TFF p-Si
La característica de sortida reflecteix el comportament de saturació de TFT. Les característiques de transferència reflecteixen les característiques de commutació de TFT i la capacitat de control de VG a ID.
Paràmetres característics: mobilitat, relació de commutació de corrent, desactivació del corrent d'estat, tensió de llindar, transconductància
La tecnologia modificada de p-Si TFF
(1) Tecnologia de cristallització de pel lícula fina de silici amorfo: menor temperatura i grans grans, millora encara més la mobilitat del transportista.
(2) Tecnologia de deshidrogenació: millora de l'estabilitat.
(3) utilitzeu el dielectric de la porta d'alta k per reduir el voltatge del llindar i la tensió de funcionament.
(4) tecnologia de procés criogènic basada en substrats de vidre o plàstic (<350>
Fabricació de TFT-LCD
Tot el procés de TFT-LCD es pot dividir en tres etapes: etapa de formació de substrat de matriu TFT, etapa de formació TFT-LCD i etapa de formació de mòduls LCD.
La producció de matriu TFT inclou principalment la neteja, el rodatge i la fabricació de plaques grogues, a continuació, gravant el procés per formar el patró desitjat, i després segons el nombre de fotomecaps per al procés de reciclatge.
Un cop acabat tot el procés de vidre TFT-LCD, el vidre amb una pel·lícula de filtre de color vermell, verd i blau en l'altra capa es frega primer a la pel·lícula, al recobriment de l'espaiador ia la cola al marc, a continuació, dos trossos de es tanca el vidre, es talla el tall i es talla l'angle de la guia, i el vidre líquid s'injecta i segella de nou.
L'etapa de formació del mòdul LCD inclou la connexió de substrat de vidre xip, gravació de circuit imprès, premsat, segellat, muntatge i proves de xassís i retroiluminació.
Estructura i procés de TFT
Realització de processos