Epitaxial Growth of Silicon by Vacuum Sublimation
SINGLE crystal layers of silicon up to several μ thick have been deposited on to a heated single crystal silicon substrate from a sublimating source. We believe we can grow good epitaxial crystals at a lower growing temperature than previous experiments1 by reducing the growth rate in a good vacuum free from contamination.
Epitaxial growth of Si on Si in ultra-high vacuum
Silicon has been evaporated in ultra-high vacuum, of about 10−10 torr, onto clean silicon substrates. The dependence of the growth on the temperature, orientation, and surface treatment has been studied. The deposits were evaluated by transmission electron microscopy and by transmission and reflection electron diffraction. For (111) substrates epitaxy has been observed at a substrate temperature of about 520°C and above. Below this temperature the deposit is either polycristalline or amorphous. 
 
Im Ultrahochvakuum von ungefahr 10−10 Torr wurde Silizium auf reine Siliziumunterlagen aufgedampft. Die Abhangigkeit des Wachstums der Schicht von der Temperatur, der Orientierung und der Oberflachenbehandlung wurde untersucht. Die Niederschlage wurden mit Hilfe der Durchgangs-Elektronenmikroskopie und mittels Elektronenbeugung im Durchstrahlungs- und Reflexionsverfahren beurteilt. An (111) Substraten wurde Epitaxie beobachtet, wenn die Unterlagentemperatur ungefahr 520°C oder mehr betrug. Unterhalb dieser Temperatur ist der Niederschlag entweder polykristallin oder amorph. 
 
Du silicium a ete evapore sous ultra-vide a 10−10 Torr environ sur du substrat propre de silicium. Des etudes ont ete faites sur les relations entre la croissance de la couche d'une part et, d'autre part, la temperature, l'orientation et les traitements de surface. Les depots ont ete evalues a l'aide de la microscopie electronique par transmission et de la diffraction electronique par transmission et par reflexion. Nous avons pu obtenir des epitaxies pour des substrats (111) aux temperatures egales on superieures a 520°C environ. Au-dessous de cette temperature le depot est soit polycristallin, soit amorphe.
Oxygen Adsorption on Silicon and Germanium
Data are presented which yield relative magnitudes of the initial, room‐temperature sticking probabilities S0 of nitrogen on clean tungsten and oxygen on clean silicon and germanium. Taking S0 to be 0.35 for N2 on W, we obtain 1×10−2 and 8×10−4 for S0 of O2 on Si and Ge, respectively. Data are also given concerning the temperatures at which the atomically clean surface is thermally regenerated from the oxygenated surface for both Si and Ge.