Simulation parameter effects on critical dimension and sensitivity of 193 nm Chemically Amplified Resist
It is helpful in lithography process and developing resist to know the relationship between the critical dimension variation and simulation parameters such as aerial image parameters, the Dill exposure parameters, PEB (Post Exposure Bake) parameters, and development parameters. In this paper the profiles of a 193 nm CAR (Chemically Amplified Resist) were simulated with those various parameter, and those results were analyzed by the response surface methodology (RSM) approach to know the influence of independent factors on a dependent response and to optimize each process. Both the parameter effects of each process and the simulation process effects of the whole process were described about critical dimension and side wall angle so that the sensitivity of lithography process could be assumed. The development parameters were modified with those of flood exposure experiment according to the pattern density and pattern size for more accurate lithography simulation. Also those effects on critical dimension and side wall angle were analyzed. For the validity of our results the quantitative comparison between our results and those of a commercial tool was shown.
Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
A l’heure actuelle, les modeles photochimiques utilises dans la correction des effets de proximiteoptique (OPC) en photolithographie sont devenus complexes et moins physiques afin de permettre decapturer rapidement le maximum d’effets optiques et chimiques. La question de la stabilite de tels modelespurement empiriques est devenue d’actualite. Dans ce memoire, nous avons etudie la stabilite desmodeles photochimiques actuels en examinant les differentes causes d’instabilite vis-a-vis des parametresdu procede. Dans la suite, nous avons developpe une methode perturbative permettant d’evaluer le criterede la stabilite. L’obtention de modeles simples et stables nous conduit a separer les effets optiques desautres effets chimiques. De plus, les approximations utilisees dans la modelisation des systemes optiquesoperant a grande ouverture numerique entrainent des erreurs residuelles pouvant degrader la precisionet la stabilite des modeles OPC. Ainsi, nous nous sommes interesses a etudier les limites de validitede l’approximation de Kirchhoff, methode qui, jusqu’a present, est la plus utilisee dans la modelisationdu champ proche d’un masque. D’autres methodes semi-rigoureuses, permettant de modeliser les effetstopographiques, ont ete egalement evaluees. Ces methodes approchees permettent de gagner en precisionmais degradent le temps de calcul. Nous avons ainsi propose differentes facons de corriger les effetstopographiques du masque, tout en gardant l’approximation de Kirchhoff dans la modelisation de la partieoptique. Parmi les methodes proposees, nous exploitons celle permettant de reduire les erreurs lieesaux effets topographiques du masque par l’intermediaire d’un second modele empirique. Nous montronsque pour garantir une precision adequate, il est necessaire d’augmenter la complexite du modele en rajoutantdes termes additionnels. Enfin, pour garantir la stabilite numerique du modele empirique, nousintroduirons une nouvelle methode approchee hybride rapide et precise, la methode des multi-niveaux,permettant d’inclure les effets topographiques par decomposition multi-niveaux du masque fin et discuteronsses avantages et ses limites.
Parameters for low energy operation of CESR
We present a detailed design for operation of the Cornell Electron Storage Ring, CESR, in the energy range covering the /spl psi/ resonances and the Charm and Tau thresholds, as well as reaching to the upper Y resonances near 11 GeV. The addition of 18 m of super-ferric wiggler magnets will partially restore low energy beam emittance and damping times. Installation of superconducting quadrupoles in the interaction region and the addition of high performance superconducting RF cavities will enhance performance at all energies. Studies of optics, beam dynamics, wiggler and vacuum system performance, beam stability, and beam-beam effects confirm operation with a luminosity of 3/spl times/ 10/sup 32/ CM/sup -2/ sec/sup -1/ at 1.88 GeV.