Zur Stoßionisation in Silicium und Germanium
ZusammenfassungDie Ionisierungszahl α eines elektronischen Halbleiters wird als Funktion der elektrischen Feldstärke explizit unter einfachen Voraussetzungen berechnet und mit den Ergebnissen von K. G.McKay, K. B.McAfee und P. A.Wolff verglichen. Der Vergleich legt die Vermutung nahe, daß die Stoßionisation sowohl durch die Wechselwirkung der Leitungselektronen mit akustischen als auch mit optischen Schallquanten bestimmt wird.