Prüfung zweier Verfahren zur Bestimmung von Kontaktspannungen an Halbleitern
ZusammenfassungEs wird gezeigt, daß die nach dem Thomsonverfahren bestimmten Kontaktspannungen zwischen Metall und Halbleitern (CuO, Cu2O, Ag J, Ag2S, Se) dem Betrag nach gleich den Werten sind, die aus der Parallelverschiebung von Emissionskennlinien erhalten werden. — Die an Halbleiteroberflächen häufig auftretenden Ladungsstauungen machen das Glühemissionsverfahren unter den hier eingehaltenen Versuchsbedingungen (Ströme unter 10−8 Amp.) nicht unverwendbar. — Die an der Oberfläche der Halbleiter gemessenen Kontaktspannungen sind unabhängig von dem Metall, das als Unterlage dient, d. h. auch die untersuchten Halbleiter einschließlich des als Ionenleiter betrachteten Ag J lassen sich in eine Spannungsreihe eingliedern. — Auf die erhaltenen Absolutwerte der Kontaktspannung wird kein Gewicht gelegt, ebensowenig wird zu der Frage Stellung genommen, ob in der Kontaktspannung eine Materialkonstante vorliegt.