Elektronenbeugungsaufnahmen von neuartigen Zinn—Wismut-Legierungen
ZusammenfassungEs werden dünne Schichten der Zinn—Wismut-Legierung von verschiedener prozentualer Zusammensetzung bei 4,2‡ K erzeugt. Gleichzeitig wird ihr Widerstandsverhalten sowie ihr struktureller Aufbau mit Hilfe der Elektronenbeugung untersucht. Man findet in den Bereichen von 0 bis 50 At-% und 50 bis 100 At-% Bi ein verschiedenes Verhalten.Für jede beobachtete Widerstandsänderung lassen die Elektronenbeugungsaufnahmen den zugehörigen Kristallisationsprozeß erkennen.