text: Когда заряд инверсного слоя мал по сравнению с зарядом обеднённой области, x d ≈ Q s / q N {\displaystyle x_{d}\approx Q_{s}/qN} , а в случае сильной инверсии величина x d {\displaystyle x_{d}} становится практически независимой от Q s {\displaystyle Q_{s}} и приближается к предельному значению x d m {\displaystyle x_{dm}} : x d m = − 4 ϕ F ϵ s q N ≈ 4 ϵ s q | N | β ln ⁡ | N n i | {\displaystyle x_{dm}=-{\sqrt {\frac {4\phi _{F}\epsilon _{s}}{qN}}}\approx {\sqrt {{\frac {4\epsilon _{s}}{q|N|\beta }}\ln |{\frac {N}{n_{i}}}|}}} (18) Для кремния при комнатной температуре в диапазоне концентраций примесей N = 10 12 − 10 16 c m − 3 {\displaystyle N=10^{12}-10^{16}cm^{-3}} можно пользоваться следующим приближенным соотношением: x d m ( μ m ) = 10 13 | N | . {\displaystyle x_{dm}(\mu m)={\sqrt {\frac {10^{13}}{|N|}}}.} (19) МДП-структура — это плоская трехслойная структура, состоящая из тонкого слоя металла, чуть более толстого слоя диэлектрика и толстого слоя полупроводника (металл-диэлектрик/окисел- полупроводник).