text: Установлены ранее неизвестные научные факты: — предельной компенсации GaAs примесью хрома, позволяющей достигнуть величины удельного сопротивления более 1 ГОм*см (выше, чем в собственном полупроводнике); — гофрировке энергетических зон, приводящей к формированию рекомбинационных барьеров, позволяющих более чем в 100 раз повысить время жизни носителей заряда в компенсированном полупроводнике.