聚對二甲苯（Parylene）除了具備防護特性外，讓其在微製程中更具優勢的因素還包括：

1. **均勻性和薄膜厚度控制**：Parylene 可以形成均勻的薄膜，且薄膜厚度可以精確控制，這對於微電子元件的功能表現至關重要。

2. **良好的附著性**：Parylene 對多種基材（如金屬、塑料和玻璃等）具有良好的附著性，這一優勢確保了電子元件在不同環境中的穩定性和持久性。

3. **化學穩定性**：Parylene 具有優良的化學兼容性，能夠抵抗各種化學品的侵害，這使其能在惡劣的化學環境中使用，例如醫療設備中的環境。

4. **耐高溫性**：雖然 Parylene 的主要沉積過程在較低溫度下進行，但其薄膜本身能夠耐受一定程度的高溫，這對於某些應用（如熱敏感元件的保護）是非常重要的。

5. **絕緣性能**：Parylene 具備良好的絕緣性，能有效防止短路和干擾，這對於集成電路和微電子產品的性能至關重要。

6. **生物相容性**：某些 Parylene 衍生物（如胺基對二甲苯）具有優良的生物相容性，使其在生醫應用（如植入物和傳感器）中得到廣泛使用。

### 具體實例

1. **醫療器械的防護**：在植入式醫療設備如心臟起搏器或神經刺激器中，Parylene 提供必要的防護層以避免體內液體的侵擾，保護電子元件不受損壞。

2. **MEMS（微機電系統）器件**：在 MEMS 傳感器中，Parylene 常用作保護膜，以防止腐蝕和物理損傷，同時確保機械性能的穩定。

3. **電子元件的絕緣和防護**：許多電子元件（例如 RF 及微波器件）在生產過程中使用 Parylene 作為絕緣層和防護膜，這有助於提升元件的穩定性和可靠性。

總體而言，聚對二甲苯的這些特性使其在微製程領域內具備了廣泛的應用潛力，特別是在對環境和性能要求較高的情況下。
聚對二甲苯（Parylene）在微製程中被用作鈍化薄膜，除了其防護特性以外，還有哪些因素使其在某些應用中更具優勢？是否能提供具體的實例來說明？
**化學氣相沉積**（英語：**chemical vapor deposition**，簡稱 **CVD**）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的 CVD 製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或 / 及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。

微製程大都使用 CVD 技術來沉積不同形式的材料，包括單晶、多晶、非晶及磊晶材料。這些材料有矽、碳纖維、碳奈米纖維、奈米線、奈米碳管、SiO2、矽鍺、鎢、矽碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的高介電係數等材料。CVD 製程也常用來生成合成鑽石。

## 化學氣相沉積的種類

一些 CVD 技術被廣泛地使用及在文獻中被提起。這些技術有不同的起始化學反應機制（如活化機制）及不同的製程條件。

* 以反應時的壓力分類
  * 常壓化學氣相沉積（Atmospheric Pressure CVD，APCVD）：在常壓環境下的 CVD 製程。
  * 低壓化學氣相沉積（Low-pressure CVD，LPCVD）：在低壓環境下的 CVD 製程。降低壓力可以減少不必要的氣相反應，以增加晶圓上薄膜的一致性。大部份現今的 CVD 製程都是使用 LPCVD 或 UHVCVD。
  * 超高真空化學氣相沉積（Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD：在非常低壓環境下的 CVD 製程。大多低於 10-6 Pa (約為 10-8 torr）。註：在其他領域，高真空和超高真空大都是指同樣的真空度，約 10-7 Pa。
* 以氣相的特性分類
  * 氣溶膠輔助氣相沉積（Aerosol assisted CVD，AACVD）：使用液體 / 氣體的氣溶膠的前驅物成長在基底上，成長速非常快。此種技術適合使用非揮發的前驅物。
  * 直接液體注入化學氣相沉積（Direct liquid injection CVD，DLICVD）：使用液體（液體或固體溶解在合適的溶液中）形式的前驅物。液相溶液被注入到蒸發腔里變成注入物。接著前驅物經由傳統的 CVD 技術沉積在基底上。此技術適合使用液體或固體的前驅物。此技術可達到很多的成長速率。
* 電漿技術（可參考電漿製程）
  * 微波電漿輔助化學氣相沉積（Microwave plasma-assisted CVD，MPCVD）
  * 電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。PECVD 技術允許在低溫的環境下成長，這是半導體製造中廣泛使用 PECVD 的最重要原因。
  * 遠距電漿增強化學氣相沉積（Remote plasma-enhanced CVD，RPECVD）：和 PECVD 技術很相近的技術。但晶圓不直接放在電漿放電的區域，反而放在距離電漿遠一點的地方。晶圓遠離電漿區域可以讓製程溫度降到室溫。
* 原子層化學氣相氣相沉積（Atomic layer CVD，ALCVD）：連續沉積不同材料的晶體薄膜層。參見原子層磊晶（原子層沉積）。
* 熱絲化學氣相沉積（Hot wire CVD，HWCVD）：也稱做觸媒化學氣相沉積（Catalytic CVD，Cat-CVD）或熱燈絲化學氣相沉積（Hot filament CVD，HFCVD）。使用熱絲化學分解來源氣體。
* 有機金屬化學氣相沉積（Metalorganic chemical vapor deposition，MOCVD）：前驅物使用有機金屬的 CVD 技術。
* 混合物理化學氣相沉積（Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition，HPCVD）：一種氣相沉積技術，包含化學分解前驅氣體及蒸發固體源兩種技術。
* 快速熱化學氣相沉積（Rapid thermal CVD, RTCVD）：使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。只對基底加熱，而不是氣體或腔壁。可以減少不必要的氣相反應，以免產生不必要的粒子。
* 氣相磊晶（Vapor phase epitaxy, VPE）

## 通常用於積體電路的沉積材料

本節討論通常用於積體電路的 CVD 製程。不同的材料會應用於不同的環境。

### 多晶矽

多晶矽是從矽烷（SiH4）沉積所得到的。使用以下反應：

　
: SiH4 → Si + 2 H2

這種反應通常使用低壓化學氣相沉積系統（LPCVD），使用單純的矽烷或用 70-80％的氮矽烷作為原料。在溫度在 600°C 至 650°C 之間，壓力為 25~150 帕斯卡的條件下，沉積速度在每分鐘 10 至 20 奈米之間。另一種製程使用氫為還原劑。氫氣會降低增長速度，所以溫度提高到 850 甚至 1050℃進行補償。
多晶矽的沉積可以和摻雜同時進行。即把磷，砷或者乙硼烷加入 CVD 反應腔。乙硼烷的會令增長率增加，但砷化氫和磷化氫會令沉積速度減小。

### 二氧化矽

SiH4+O2 → SiO2+2H2

### 氮化矽

使用以下反應：SiH4 + 4 N2O → SiO2 + 2 H2O + 4 N2.

### 金屬

## 通常用於高分子聚合的沉積材料

**聚對二甲苯（parylene）以及其衍生物**

Parylene-N 的單體經過高溫爐（約攝氏 600-800 度）裂解後會形成自由基，而最後隨著帶入的惰性氣體沉積在低溫的表面上

大多數 parylenes 是鈍化薄膜或塗層。這意味著他們保護的裝置可以防止水，化學品的侵害。這是一個重要的特點，然而在許多應用上都需要鍵結的其他材料在聚對二甲苯上，例如對二甲苯對二甲苯，對二甲苯表面固定催化劑或酶......。一些的反應性對二甲苯，例如：1. 胺基對二甲苯（一個胺在每個重複單元，Kisco 公司產品）2. 一甲基胺對二甲苯（一甲基胺每個重複單元，Kisco 公司產品）

一甲基胺對二甲苯比胺基對二甲苯有更大的反應性，因為它帶著更強的鹼基。當相鄰的苯環胺組，胺基，是在穩定的共振，因此變得更加酸性，相對鹼性較弱。然而 [胺基對二甲苯] 是更容易合成，因此它的成本較低。

## 參考文獻

## 外部連結
**聚氧二甲苯**（**polyphenylene oxide**，**PPO**）也稱為**聚苯醚**（**polyphenylene ether**，**PPE**），其商品名為 **NORYL**，是一種高溫的熱塑性塑料。聚氧二甲苯為非結晶性熱塑性高分子，由於它難以直接加工，故在工業上很少使用純的聚氧二甲苯，常將聚氧二甲苯和聚苯乙烯、高衝擊苯乙烯 - 丁二烯共聚物或聚醯胺混合使用。

## 歷史

聚氧二甲苯是由奇異 A.S.Hay 在 1956 年製成，是利用氯化亞銅做觸媒以氧化偶合方式將 2,6 - 二甲基苯酚製成聚氧二甲苯，並在 1964 年發表，取名為 PPO。

聚氧二甲苯是便宜的耐高溫塑膠中的之一種，但難以製造，而且抗衝擊及耐熱能力會隨時間而降低。混合聚氧二甲苯和聚苯乙烯可以改善此一缺點。1960 年代調整後的聚氧二甲苯問世，商品名稱為 Noryl。

## 性質

聚氧二甲苯為非結晶高性能塑膠，其玻璃轉化溫度為 215 °C，但加入聚苯乙烯後的玻璃轉化溫度會改變。透過修改或加入像玻璃纖維之類的填料，可以大幅改善其性質。 ## 應用

聚氧二甲苯的共混物可以用在需要耐熱、有尺寸穩定性及準確性的結構件、電子零件、家用設備或汽車設備。聚氧二甲苯也用在塑膠製的消毒設備。

依種類的不同，聚氧二甲苯可以用射出成形或是擠出的方式加工，加工溫度約為 260-300 °C。其表面可以印刷、熱沖壓，油漆或金屬化。可以用加熱元件、摩擦或是超音波方式進行焊接。也可以用含鹵素溶劑或各種粘合劑粘合。

## 從天然產物的生產

自然界的酚可以被酵素聚合。蟲漆酶和過氧化物酶會誘導的聚合丁香酸的聚合，會形成聚氧 1-4 二甲苯．一端有羧酸基，另一端為苯酚的羥基。

## 參考資料

## 外部連結

* Douglas Robello. Poly (phenylene oxide). University of Rochester. （原始內容存檔於 2012-12-12）. **聚對苯二甲酸丁二酯**（_Polybutylene terephthalate_，簡寫作 **PBT**）是一種熱塑性的工程聚合物，可用於電氣或電子產品的絕緣體。聚對苯二甲酸丁二酯是一種（半）結晶聚合物，是聚酯的一種。聚對苯二甲酸丁二酯性質穩定：是耐溶劑，在成形過程中只有很少收縮，而且機械強度亦高，能耐熱 150 °C，加上玻璃纖維後還可把耐熱度提性至 200 °C。為使聚對苯二甲酸丁二酯不燃燒，可用阻燃劑處理。

聚對苯二甲酸丁二酯跟其他熱塑性聚酯性能相近，其化學及物理性質亦近似：與聚對苯二甲酸乙二酯（PET）相比，聚對苯二甲酸丁二酯的強度及剛度較低，但對撞擊的抵抗較佳，而玻璃化轉變溫度亦較低。PET 及 PBT 均對超過 60 °C 的熱水敏感。兩種塑料均對紫外線敏感，因此不能在戶外長期使用，但透過加入添加劑，可幫助兩種塑料耐紫外線。

## 應用

聚對苯二甲酸丁二酯常用於房屋的電氣工程，主要作絕緣之用；另外在汽車製造的過程中，亦會用於製作插頭連接器。在日常的家居用品中，例如在花灑或熨斗的把手，亦會選用這種材料。聚對苯二甲酸丁二酯可抽成絲，並用於製作牙刷或化粧用的粉刷的刷毛。 ## 性質

1969 年，研究人員發現 PVDF 具有較強的壓電效應：極化（即放入強電場產生淨偶極矩）薄膜的壓電係數為 6－7pC/N，比當時已發現的聚合物的相應數值大 10 倍以上。

PVDF 的玻璃轉化溫度（Tg）約為−35°C，結晶度通常為 50–60%。為了賦予材料壓電特性，材料通常會先沿著分子鏈的方向被機械拉伸，再在張力下進行極化。PVDF 有多種固態相：α 相（TGTG'）、β 相（TTTT）以及 γ 相（TTTGTTTG'）。這幾種相的差別在於分子鏈是順式（T）的還是反式（G）的。PVDF 在極化後會成為鐵電聚合物，具有良好的壓電性與熱釋電性。這些性質令其可以用於生產傳感器與電池，比如一些新型的熱圖攝影機的傳感器就用到了 PVDF 薄膜。

與一些其他的壓電材料，如 PZT，不同，PVDF 的 d33 值是負的。從物理意義的角度上說，這一點意味著，當其他材料在電場中膨脹時，PVDF 則會收縮，反之亦然。