通常能帶間隙寬度大於3電子伏特者稱為?
絕緣體
半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裡，在能帶內部電子能量處於準連續狀態，而能帶之間則有帶隙相隔開，電子不能處於帶隙內。當電子在基態時，相當於此電子被束縛在原子核附近；而相反地，如果電子具備了自由電子所需要的能量，那麼就能完全離開此材料。每個能帶都有數個相對應的量子態，而這些量子態中，能量較低的都已經被電子所填滿。這些已經被電子填滿的量子態中，能量最高的就被稱為價電帶。半導體和絕緣體在正常情況下，幾乎所有電子都在價電帶或是其下的量子態裡，因此沒有自由電子可供導電。半導體和絕緣體之間的差異在於兩者之間能帶間隙寬度不同，亦即電子欲從價帶跳入導電帶時所必須獲得的最低能量不一樣。通常能帶間隙寬度小於3電子伏特者為半導體，以上為絕緣體。在絕對零度時，固體材料中的所有電子都在價帶中，而導電帶為完全空置。當溫度開始上升，高於絕對零度時，有些電子可能會獲得能量而進入導電帶中。導電帶是所有能夠讓電子在獲得外加電場的能量後，移動穿過晶體、形成電流的最低能帶，所以導電帶的位置就緊鄰價電帶之上，而導電帶和價電帶之間的差距即是能帶間隙。通常對半導體而言，能帶間隙的大小約為1電子伏特上下。在導電帶中，和電流形成相關的電子稱為自由電子。根據包利不相容原理，同一個量子態內不能有兩個電子，所以絕對零度時，費米能級以下的能帶包括價電帶全部被填滿。由於在填滿的能帶內，具有相反方向動量的電子數目相等，所以宏觀上不能載流。在有限溫度，由熱激發產生的導電帶電子和價電帶電洞使得導電帶和價電帶都未被填滿，因而在外電場下可以觀測到宏觀凈電流。
半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶寬度不同。絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入導帶。因此，對於一個在相同電場下的本徵半導體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱為摻雜。依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般的電性。在摻雜了不同極性雜質的半導體界面處會有一個內建電場，內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關，而參雜後的半導體有許多電性也會有相對應的變化。
智慧型手機的新定義使得智慧型手機與傳統功能型手機能完全區分開來，不再是之前的模糊關係。同樣，早期的蘋果手機系統與微軟視窗手機系統不支援智慧型手機應有的多任務處理，是否為智慧型手機系統有許多爭議。但隨後蘋果發布的蘋果手機系統4支援多任務處理；而微軟也發布的視窗手機7.5支援多任務處理，至此兩者都能認定為智慧型手機系統。智慧型手機有別於普通帶有觸控式螢幕的手機。一般普通帶有觸控式螢幕的手機使用的都是生產廠商自行開發的封閉式作業系統，再透過爪哇平台來增加其他應用，所能實現的功能非常有限。行動裝置用戶可通過無線網路連上流動軟體應用程式商店免費或付費下載使用流動軟體應用程式。
英特爾眾所皆知的「2♭2♭5♭2♭7♭」聲響是由瓦爾特·維爾佐瓦寫的。在1980年代時，英特爾在全球是前十大的半導體銷售的業者，而在1991年以後，英特爾達到了第一名的位置之後就沒有再變動了。而其次的半導體公司包括超微半導體、三星、德州儀器、東芝與意法半導體。在個人電腦晶片組方面的競爭對手包括威盛電子、矽統科技、超微半導體與輝達。而在網路方面的競爭對手有飛思卡爾、英飛凌、博通、美滿電子科技與豐藝電子，而英特爾在快閃記憶體的競爭者則是飛索、三星、奇夢達、東芝、意法半導體與海力士。而唯一在x86處理器市場中能夠與英特爾相抗衡的是超微半導體，在1976年的時候超微半導體與英特爾有完整的交叉授權協議：雙方能夠在一定時間後使用對方的專利技術而不用遭受起訴。但如果有其中一方破產或是被併吞，此交叉授權協議就會自動取消。而像威盛電子或全美達這種比較小的競爭對手就生產應用於小型電腦或是可攜式組件的低耗能處理器。2010年第二季全球個人電腦中央處理器市場佔有率，英特爾以80.7%位列第一，第二是超微半導體佔19.0%，威盛電子則佔0.3%。