Sur la base de ce passage, fournir une liste à puces des processus utilisés pour préparer les matériaux semi-conducteurs pour les circuits intégrés (CI).
Based on this passage, please provide a bullet-point list of the processes used to prepare semiconducting materials for integrated circuits (ICs).
-Thermal oxidation
-Photomasks/photolithography
-Etching (mainly plasma etching)
-Diffusion/doping
-Oxydation thermique
-Photomasques/photolithographie
-Gravure (principalement par plasma)
-Diffusion/dopage
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Une combinaison de procédés est utilisée pour préparer les matériaux semi-conducteurs destinés aux circuits intégrés. L'un d'eux est l'oxydation thermique, qui forme du dioxyde de silicium à la surface du silicium. Celui-ci est utilisé comme isolant de grille et comme oxyde de champ. Les autres procédés sont les masques photographiques et la photolithographie. C'est ce processus qui crée les motifs sur le circuit intégré. La lumière ultraviolette est utilisée avec une couche de résine photosensible pour créer un changement chimique qui génère les motifs du circuit.

La gravure est le processus suivant qui est nécessaire. La partie du silicium qui n'a pas été recouverte par la couche de résine photosensible lors de l'étape précédente peut maintenant être gravée. Le principal procédé généralement utilisé aujourd'hui est la gravure au plasma. La gravure au plasma implique généralement l'utilisation d'un gaz de gravure pompé dans une chambre à basse pression pour créer un plasma. Un gaz de gravure courant est le chlorofluorocarbone, plus connu sous le nom de fréon. Une tension radiofréquence élevée entre la cathode et l'anode crée le plasma dans la chambre. La plaquette de silicium est placée sur la cathode, ce qui fait qu'elle est frappée par les ions chargés positivement qui sont libérés par le plasma. Il en résulte une gravure anisotrope du silicium.

Le dernier processus est appelé diffusion. C'est le processus qui confère au matériau semi-conducteur les propriétés semi-conductrices souhaitées. Il est également connu sous le nom de dopage. Le processus introduit un atome impur dans le système, ce qui crée la jonction p-n. Pour que les atomes impurs soient intégrés dans la plaquette de silicium, celle-ci est d'abord placée dans une chambre à 1 100 degrés Celsius. Les atomes sont injectés et finissent par se diffuser dans le silicium. Une fois que le processus est terminé et que le silicium a atteint la température ambiante, le processus de dopage est terminé et le matériau semi-conducteur est prêt à être utilisé dans un circuit intégré.
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