Erstelle anhand dieses Textes eine Aufzählung der Verfahren, die zur Herstellung von Halbleitermaterialien für integrierte Schaltungen (ICs) verwendet werden.
Based on this passage, please provide a bullet-point list of the processes used to prepare semiconducting materials for integrated circuits (ICs).
-Thermal oxidation
-Photomasks/photolithography
-Etching (mainly plasma etching)
-Diffusion/doping
-Thermische Oxidation
-Fotomasken/Photolithographie
Ätzen (hauptsächlich Plasma-Ätzen)
-Diffusion/Dotierung
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Es gibt eine Kombination von Verfahren, die zur Herstellung von Halbleitermaterialien für ICs verwendet werden. Ein Verfahren ist die thermische Oxidation, bei der sich Siliziumdioxid auf der Oberfläche des Siliziums bildet. Dieses wird als Gate-Isolator und Feldoxid verwendet. Andere Verfahren sind die Fotomaske und die Fotolithografie. Bei diesem Verfahren werden die Muster auf den Schaltkreisen der integrierten Schaltung erzeugt. Ultraviolettes Licht wird zusammen mit einer Fotolackschicht verwendet, um eine chemische Veränderung zu bewirken, die die Muster für die Schaltung erzeugt.

Das Ätzen ist der nächste Prozess, der erforderlich ist. Der Teil des Siliziums, der nicht von der Fotolackschicht aus dem vorherigen Schritt bedeckt war, kann nun geätzt werden. Das heute übliche Verfahren ist das Plasma-Ätzen. Beim Plasmaätzen wird normalerweise ein Ätzgas in eine Niederdruckkammer gepumpt, um ein Plasma zu erzeugen. Ein gängiges Ätzgas ist Fluorchlorkohlenwasserstoff, besser bekannt als Freon. Eine hohe Hochfrequenzspannung zwischen Kathode und Anode sorgt für die Erzeugung des Plasmas in der Kammer. Der Silizium-Wafer befindet sich auf der Kathode, wodurch er von den positiv geladenen Ionen getroffen wird, die vom Plasma freigesetzt werden. Das Ergebnis ist Silizium, das anisotrop geätzt wird.

Der letzte Prozess wird Diffusion genannt. Dies ist der Prozess, der dem Halbleitermaterial die gewünschten Halbleitereigenschaften verleiht. Er wird auch als Dotierung bezeichnet. Bei diesem Prozess wird ein unreines Atom in das System eingebracht, wodurch der p-n-Übergang entsteht. Um die unreinen Atome in den Siliziumwafer einzubringen, wird der Wafer zunächst in eine 1.100 Grad Celsius heiße Kammer gelegt. Die Atome werden hineingespritzt und diffundieren schließlich mit dem Silizium. Nachdem der Prozess abgeschlossen ist und das Silizium die Raumtemperatur erreicht hat, ist der Dotierungsprozess abgeschlossen und das Halbleitermaterial ist bereit für die Verwendung in einem integrierten Schaltkreis.
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