半導体の電界吸収効果は、半導体の微細構造(量子井戸)に電界を加えることで、伝導体と荷電子帯のエネルギー準位差(バンドギャップ)が変化し、光の吸収量が変化する現象である。バンドギャップが大きい時には、光吸収がなく、そのまま透過するため透明である。バンドギャップが小さい時には、光が吸収される。EA変調器は小型で、低電圧で動作できるため、半導体レーザーと集積化が可能である。EA変調器はまた、偏光依存性はないが、少しばかりのチャープが存在する。続きを読むにはユーザー登録が必要です。登録することで3000以上ある記事全てを無料でご覧頂けます。ドメインより登録の手続きを行うためのメールをお送りします。受信拒否設定をされている場合は、あらかじめ解除をお願いします。Drive、Gmail、Googleフォトで保存容量が上限に達しているとメールの受信ができなくなります。空き容量をご確認ください。ログインパスワードをメールにてお送りします。間違ったメールアドレスで登録された場合は、改めてご登録していただくかお問い合わせフォームよりお問い合わせください。