我々は、新規に回転検光子を導入した高精度のテラヘルツ時間領域エリプソメトリを開発しました。領域における誘電率や誘電ロス、複素屈折率を高精度に評価することが可能となりました。Ga2O3)等の伝導特性を評価でき、従来のような電極作製を必要とせず、高温等の極限環境での評価も可能である。研究の背景と結果ワイドギャップ半導体の伝導特性評価は、ホール測定やCV測定といった電気的評価で実施されてきました。相当の電磁波を指します。テラヘルツ波を用いた光学的な評価により、電極作製が不要で、非破壊・非接触で、キャリア濃度や移動度・散乱時間といった電気伝導特性を評価することが可能となりました。cm-3)台のキャリア濃度評価にも成功しています。移動度の測定では、試料の異方性に対応した測定も可能であり、面内異方性や面外の異方性の評価も今後対応していく予定です。材料評価においては、サブテラヘルツ領域における、誘電率や誘電ロスといった特性評価が可能であり、絶縁基板や吸収体をはじめ、メタマテリアル等の人工物質における特性評価も可能となっています。評価は新デバイス開発に必須の項目であり、我々が開発した上記の技術が利用されることを期待しています。次世代の通信規格として開発が急ピッチに進められており、これらの通信帯は、サブテラヘルツの周波数領域に相当します。Ga2O3を始めとするワイドギャップ半導体は、パワーデバイスや高周波動作デバイスとして期待されています。研究シーズ集2023(未来社会共創を目指す)より抜粋したものです。この研究への取組にご関心のある方は、こちらからお問い合わせください。未来基金」ゆめ基金事業のひとつとして支援を受けています。