反転分布の状態にある場合、伝導体にある電子が価電子帯へ遷移し、正孔と結合する。このとき、禁則帯幅に相当するエネルギーを持つ光子を自然放出する。この過程を発光再結合という。この自然放出が効率よく生じるためには、遷移前後の電子の運動量が保存される必要がある。これを直接遷移という。化合物半導体では、直接遷移型が多い。禁制帯幅は、化合物の成分比を調整することで変化させることが可能である。電子の運動量が保存されない間接遷移では、遷移する時に格子振動へ使われてしまい、ほとんど発光はおきない。集積回路で用いられるシリコン(Si)は間接遷移するものである。続きを読むにはユーザー登録が必要です。登録することで3000以上ある記事全てを無料でご覧頂けます。ドメインより登録の手続きを行うためのメールをお送りします。受信拒否設定をされている場合は、あらかじめ解除をお願いします。Drive、Gmail、Googleフォトで保存容量が上限に達しているとメールの受信ができなくなります。空き容量をご確認ください。ログインパスワードをメールにてお送りします。間違ったメールアドレスで登録された場合は、改めてご登録していただくかお問い合わせフォームよりお問い合わせください。