本研究では、新規Ge1Cu2Te3(GCT)化合物を用いた相変化メモリの開発を行った。GCT薄膜は、約500°C程度の融点を持つ一方、そのアモルファス相は、250°C程度の高い結晶化温度を有する。(セット)の可逆的な相変化が得られる事が分かった。GCTは、既存Ge2Sb2Te5に比し、リセット化に必要な消費電力を低減できる事が分かった。GCTアモルファス膜は、高い結晶化温度および低い融点を併せ持つため新規相変化メモリへの適用が大いに期待される。