しょうぞう)1950年7月岐阜県岐阜市で誕生。同年4月に株式会社東芝に入社。メモリの研究開発に従事。1979年に東芝半導体事業部の半導体技術研究所に異動、DRAMの開発に従事。1990年に半導体システム技術センターに異動、メモリ応用技術に従事。1950年7月岐阜県岐阜市で誕生。卒業後、同年4月に株式会社東芝に入社。メモリの研究開発に従事。ターに異動、メモリ応用技術に従事。1998年より2年間渡米し、東芝アメリカ電子部品社で技師長として従事。部DRAM統括部長に就任。メモリ事業部の事業部長に就任。社副社長、ならびに2006年6月、執行役常務に就任、メモリ事業部長を兼務する。年6月より執行役上席常務、セミコンダクター社社長に就任。子デバイスグループCEOを担当。