ロームウェブサイトはIE11を推奨ブラウザとしていません。ロームウェブサイトを快適にご使用いただくにはブラウザを更新してください。MOSFETRS6L090BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。電力消費量が増大し、電力の有効活用を迫られる中、基地局、サーバーなどの産業機器や、各種モーターにおいても、高効率化が進んでいます。これらのアプリケーションにおいて、中耐圧のMOSFETは、さまざまな回路で使用されており、メーカーから低損失化が求められています。MOSFETの電力損失に繋がる主要なパラメータとしては、オン抵抗とQgdの2つがありますが、一般的なMOSFETでは、チップサイズに対して、オン抵抗は反比例して小さく、Qgdは比例して大きくなるため、両立が困難です。これに対してロームは、プロセスの微細化と銅クリップ接続の採用、ゲート構造の改善により、両者のトレードオフを改善しました。2.1mΩを達成しています。ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd(ゲート・ドレイン間電荷量)も従来品比で約40%低減(Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較)。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、業界トップクラスの電源効率(ピーク時約95%)を達成しています。モーターその他、幅広い機器の電源回路やモータドライブに採用可能です。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。