Carbide)とは非酸化物セラミックスの一種で、炭素(C)とけい素(Si)が1対1で結合したもので、化学式はSiCで表されます。G.Achesonがダイヤモンドを合成しようとした際に偶然発見したものといわれています。炭化けい素(SiC)は有益な特性を数多く持っており、その特性を生かして耐火材や研磨・研削材として利用されてきましたが、近年ファインセラミックス、エンジニアリングセラミックスや半導体の材料として注目されています。ページTOPへ炭化けい素(SiC)の生成式は一般に次の反応で示されます。当社では炭素原料(C)とけい素原料(Si)を混合したものを電気炉(アチソン炉)に詰め、直接通電してインゴットを製造しています。炭化けい素(SiC)の硬さは新モース硬度で表すと13で、ダイヤモンド(新モース硬度15)、炭化ホウ素(新モース硬度14)に次いで地球上で3番目に硬い化合物です。炭化けい素(SiC)は熱伝導率が高く(熱を伝えやすく)、また、熱膨張率が低い(熱による体積変化がすくない)為、熱衝撃にはとても高い耐性を持っています。炭化けい素(SiC)は粒状の場合、700°C以上で酸化が始まるといわれており、その酸化物(SiO2)がSiCの表面を覆い、酸化に対し保護膜となる為、酸化が抑制されます。炭化けい素(SiC)は熱安定性が強く、大気圧下では溶融することは出来ません。分解温度は約2545度で極めて優れた耐熱性を有しています。炭化けい素(SiC)は極めて安定した化合物で、酸やアルカリにも侵されにくく、とても優れた耐薬品性を有しています。