はじめ注目を集めているパワーエレクトロ二クス半導体の、次世代素材として二酸化ゲルマニウム(GeO2)のご紹介となります。新素材に求められる要素としては、1低コスト2大きなバンドギャップ(4.6eV)3PN両伝導体(半導体)の存在がありますが、現時点でこれら3要素を有しているのは、このGeO2のみです。非常に蒸発し易い結晶で、エピ膜の成膜が非常に難しいのですが、弊社が開発したファントム局所的気相成長法により、世界で初めてエピ膜の成膜に成功しました。