ためGaNやSiCが注目されています。SiCパワーデバイスの問題点として結晶欠陥がありますがこれを解決するためにSCM-100を用いることで迅速に観察、選別することができます。SCM-100はあらかじめプログラムされた電流をSiC試料のトランジスタの内蔵ダイオードに印可する機能を持っています。電流印可時に電流が流れない箇所(欠陥)は発光しないため顕微鏡に取り付けたカメラで撮影して欠陥を見つけることができる装置です。SiC試料表面は顕微鏡で拡大し、可視領域の発光をカメラでモニターして、欠陥の成長をその場観測することができます。画像は最適なインターバルで撮影し保存することができます。オプションのペルチェ冷却水冷ユニットを用いるとSiCデバイス試料台の温度を80°C以下に保ちます。ステータス情報を最速0.1秒サンプリング可能1台のPCで5台の電源を制御、データ保存可能17インチ程度のLCDに出力させた場合、観察倍率は約60倍~約200倍SiC試料の欠陥の成長をその場観察できる用途SiCデバイス製品活用例*1つのソフトで最大5つの電源を管理し、同時スタートも可能です。Vmeas(V)やImeas(A)をリアルタイムで表示させることが可能です。結果はエクセルで保存されます。※本仕様は予告なく変更することがあります。開発・試作|フォトサイエンス。