Safariにてご利用ください。品番は3文字以上指定して下さい。クロスリファレンス検索で表示される情報についてクロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。情報は予告なく変更されることがあります。品番は3文字以上指定して下さい。オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。下記より必要な情報をお探しください。MOSFET注1を開発しました。内蔵されているショットキーバリアダイオード(SBD)の配置を市松模様配置に変更した新たなデバイス構造とすることで、高い信頼性を維持しながら当社従来製品と比較してオン抵抗注2(RonA)を約20%低減できることを確認しました注3。電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化やカーボンニュートラルの実現に不可欠な半導体であり、自動車の電動化や産業機器の小型化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。MOSFETは逆導通動作時にボディダイオードがバイポーラ通電すると、オン抵抗が劣化することが信頼性の課題となっています。東芝デバイス&ストレージでは、MOSFETチップ上にSBDを内蔵することで、ボディダイオードが動作しないよう対策したデバイス構造を採用しています。内蔵SBDがチップ面積の一部を占有することは、MOSFETのオン動作の抵抗を決めるチャネル領域の面積を減少させ、チップのオン抵抗の上昇に直結します。今回、飛躍的な特性改善を狙い、内蔵SBDの配置を変更することで、これらの相反する課題を解決するとともに、特性向上の効果を実証しました。kV級耐圧素子試作による改善効果の確認を行いました。市松模様状に配置した内蔵SBDがボディダイオードに近接することで、効果的にボディダイオードのバイポーラ通電を抑制し、従来のストライプSBD配置と比較して同じSBD搭載面積でも2倍の電流範囲までユニポーラ動作の上限が向上しました。mΩcm2の低オン抵抗を同時に実現しました。MOSFET使用において重要です。今後、動特性や信頼性の確認と並行して、さらなる特性改善に向けた検討を進めるとともに、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワー半導体を提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。Meeting」で発表しました。トランジスター)の略で、トランジスターの構造の一種。オン抵抗:MOSFETが動作している時のドレイン・ソース間の抵抗値。2022年11月現在、当社調べ。社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。