次世代のワイドバンドギャップ半導体材料として有望な酸化ガリウムとダイヤモンド。それぞれの開発の現状や課題、今後の展望などについて詳細に解説して頂くことによって、関連業界の方々の今後の事業に役立てていただくことを目的とします。9:55~16:15★Webセミナー(Zoomウェビナーによるライブ配信)として開催いたします。会場での受講はありません。※各講演時間に質疑応答(5分程度)を設けます。※お申込みの詳細は、プログラムの下部をご参照ください。氏ダイヤモンドは、シリコンの5倍のバンドギャップをもつ半導体で、高効率のパワー半導体として注目されています。本学では、半導体デバイスの基盤となるウエハ結晶成長技術やドーピング技術を確立し、これまでにない高出力電力を報告しました。講演では、期待が高まるダイヤモンド半導体の基礎から、開発したウエハ結晶成長技術やドーピング技術、優れた高電力を出力するダイヤモンド・パワー半導体について説明します。喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるIoTを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。本講演では、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説します。弊社宛てに送信もしくはFAXお願い致します。申し込み書受領後、請求書をお送りします。(メール送信または郵送)またWebセミナーの視聴方法について詳細をご案内いたします。□お支払い請求書に記載されている弊社指定口座に、請求日の1ヶ月以内にお振込みをお願い申し上げます。□キャンセル開催日の11日前まで:無料にてキャンセルする事が出来ます。受講者数が規定に達しない場合中止する場合があります。サイトポリシーサイトマップ当サイトでは利便性や品質向上のため、Cookieを使用することを推奨しています。利用する場合は同意するを選択してください。同意をしない場合は、一部機能がご利用できません。詳細はこちら同意する拒否するTOPへ戻る。