単一チップ上に複数の酸化グラフェンチャネル電界効果トランジスタ(GO-FET)の作製及びセンサー動作検証を進めた。cm2/Vs)に対して一桁以上の向上を達成した。探査においては、金微粒子をマーカーとした実験により、酸化グラフェンの表面構造修復状態が受容体固定化のためのアンカー分子の吸着に影響していることを見出し、構造最適化への指針を明らかにした。単一の基板上にアレイ化したGO-FETを作製し、それぞれの素子において同程度の感度でpH変化の検出に成功した。以上の成果から、本研究開発は計画通り達成されたと判断する。ReservedTOPBOTTOM。