ResearchersこのページはJavascriptを使用しています。有効にする必要があります。劇的に進化した情報技術をベースにして、デジタル世界と物理的世界、生物と機械といった境界が曖昧な社会が21世紀前半にも到来すると言われています(第四次産業革命)。化石燃料からの脱却に向けて、新たな電力システムの構築も強く求められています。これらの社会的要請から、情報通信技術や電力制御を司る半導体デバイスはますますその重要性を増しています。これまで半世紀にわたってシリコン(Si)が半導体の主役を務めてきましたが、その限界を超える性能・機能を目指して、ゲルマニウム(Ge)、グラフェン、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、ダイヤモンドなど様々な半導体が世界中で盛んに研究されています。当研究室では、金属と酸化膜、酸化膜と半導体といった異種材料間の境界である「界面」を中心に、多様な材料・プロセス・評価技術を駆使して未知の物性の解明・発現に取り組み、従来にない革新的性能・機能をもつ半導体デバイスの創出を目指します。現在は、SiCパワーMOSデバイスやGeSn光電子融合デバイスの研究を行っています。研究概要:GeSn半導体は赤外域の発光/受光素子および高移動度CMOS材料として有望である。極限まで低減した高品質GeSn形成、そしてSn組成傾斜をつけたGeSn横型ダブルへテロ構造の作製に取り組み、GeSn赤外光学素子とCMOS回路を集積化した赤外イメージング/センシングプラットフォームの創出を目指す。研究概要:SiC特有の動作原理に基づく低損失SiCパワーMOSトランジスタの創製を目的とし、そのための技術課題として金属/SiC界面の接合特性とMOS界面特性の制御に取り組んだ。eV以下にする必要があることを示した。eVで安定した電極構造を実現した。基板上に局所選択的に作製する手法として、アモルファスGe層を融解・凝固させる液相エピタキシャル成長を提案し、単結晶Geワイヤと結晶性に優れた完全歪緩和SGOI層をそれぞれ絶縁層上に形成することに成功した。