参加ご希望の方は、参加フォームよりご登録をお願いします。要旨:金属酸化物薄膜に対して外部より電場/電流を印加した場合、格子内の欠陥移動をはじめとする様々な機構によって、薄膜の電気抵抗には巨大かつ可逆的な変化が発現し得る事が知られている。近年、これらの抵抗変化現象をReRAM(抵抗変化型メモリ)やメモリスタと呼ばれるメモリ素子および脳型コンピューティング素子の原理として応用する試みが盛んとなっている。一方で欠陥移動型の抵抗変化現象に関してはその物理的なメカニズムの理解が進んでおらず、各デバイスの開発指針の確立に向けて、酸化物薄膜内の欠陥移動解析が現在重要な研究テーマとなっている。応用上の要求から、欠陥移動以外の物理現象を基にした抵抗変化デバイスの開拓も現在強く求められており、様々な提案が行われている状況にある。