FeRAM「MB85RQ8MLX」のサンプル提供を開始しました。(図1)本製品は、105°Cの高温環境下においても最大108MHz動作によって54Mバイト/秒での高速データ書換えを実現する不揮発性メモリです。RAIDコントローラなどの産業用コンピューティング、データセンター、そして高性能コンピューティング(HPC)用途に最適です。本製品は、1.7V~1.95Vの低電源電圧で動作する、8Mビットの不揮発性メモリです。SPIインターフェースのMB85RQ8MLXは4ビットの入出力ピンと108MHzの動作周波数によって、その8倍以上となる最大54Mバイト/秒でのデータ書込みが可能です。これは、新聞紙40ページ分のテキスト文を0.02秒でメモリに書き込む速さに相当します。本製品の使用を想定している産業用コンピューティングでは、高速でのデータ処理によって動作中は周囲温度が高くなるため、搭載される電子部品は高温環境での動作保証が必要です。MB85RQ8MLXの最大動作温度は一般品の85°Cから105°Cに拡張しているため、産業機器向けに最適です。FeRAMも開発中です。お客様がバッテリーバックアップSRAMをデータバッファ用途に使用している場合には、本製品に置き換えることでバッテリーの削減が可能になります。特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。フラッシュメモリ、EEPROMおよび低消費電力SRAMをご使用中のお客様が、以下のような課題をお持ちの場合には、当社のFeRAMによって解決できる場合があります。今回、MB85RQ8MLXの開発により、8Mビットの容量をもつ当社のメモリ製品は3種類になりました。(図4)お客様のアプリケーションは多岐に渡るため、メモリ容量が同じでも必要とする特長はそれぞれ違います。そのような多様な要求に応えた結果として、3種類の8Mビットメモリ製品を提供しています。当社は、今後ともお客様のアプリケーションの機能を向上させるためのメモリ開発を続けていきます。ポリシーサイトマップ社名変更のお知らせ2025年1月より、富士通セミコンダクターメモリソリューションからRAMXEEDに社名を改称します。