Memory)1としては最大メモリ容量となる12MビットReRAM「MB85AS12MT」を開発し2、サンプル提供を開始しました。3mmの小型パッケージに格納した不揮発性メモリです。読出し電流が平均0.15mAという非常に少ない電流のため、補聴器やスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスに最適です。(図2)図1:MB85AS12MTのパッケージ(表面・裏面)図2:用途例(補聴器、スマートウォッチ)詳細MB85AS12MTは、1.6V~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する12Mビットの不揮発性メモリです。Package)を採用し、同一パッケージサイズ、同一バンプ配置でありながらメモリ容量を1.5倍に拡張しています。3mmの小型パッケージに新聞紙で約90ページ分のテキストデータを記録できるメモリです。SPIインターフェースのメモリに使用される8ピンSOPと比較すると、WL-CSPでは実装面積を約80%削減することが可能です。WL-CSP)本ReRAM製品は、他の不揮発性メモリと比べると読出し電流が非常に少ないことが特長です。10MHz動作時の最大読出し電流は1.0mA、5MHz動作時においては平均読出し電流は0.15mAに抑えられています。したがって、読出し時の消費電力を抑えることができるMB85AS12MTを使用することで、初期設定データをメモリに書き込んだあと頻繁にデータを読み出すような電池駆動のアプリケーションでは、電池の消耗を最小限にできます。そのため、補聴器やスマートウォッチといった小型ウェアラブルデバイスに最適です。小型デバイスを開発中のお客様がEEPROMやフラッシュメモリの使用で以下のような課題をお持ちの場合には、当社のReRAMによって解決できる場合があります。Memory)3(注3)製品の開発を続けています。それと並行して、データ読出しを頻繁に行うアプリケーション向けのメモリ開発も進めており、今回の12MビットReRAM製品の発表に至りました。当社は、今後ともお客様の要求に応える低消費電力のメモリ製品の開発を続けていきます。注釈ReRAM:抵抗変化型メモリ金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで大きな抵抗変化を生じさせ“0”と“1”を記憶する不揮発性メモリ。セミコンダクターソリューションズ株式会社)と共同開発したReRAM製品。↩︎FeRAM:強誘電体メモリ強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。ポリシーサイトマップ社名変更のお知らせ2025年1月より、富士通セミコンダクターメモリソリューションからRAMXEEDに社名を改称します。