ここで,基板8の上層全体での配線密度は約60%となっている。配線密度と下層全体の配線密度とを略等しくすることができる。体の配線密度と略等しくなるようにすればよい。図7は,比較例としての基板の各層の配線密度を示す図である。とで,配線密度が約90%となっていた。樹脂と銅との比率と異なることとなる。層とで熱膨張係数も異なることとなる。状(図3における上に凸形状)となるような反りが発生しやすくなる。このような温度変化は,半導体装置100の製造過程で生じやすい。向にあり,このような反りが発生しやすくなっている。いるので,熱膨張係数も略等しくなる。生するのを抑制することができる。めのモーメントをより大きく発生させることができる。配線設計が容易になり,コストの抑制を図ることができる。えばライン上に配線層を形成してもよい。下層全体としての配線密度を調整してもよい。