当社は不揮発性メモリとして、FeRAMとReRAMを提供しています。この両者は異なる特長を持っているため、得意とする用途が異なります。ReRAMの一番の強みは読出し時の動作電流が非常に小さいことです。データの読出し回数が無制限なので、プログラムを頻繁に読み出す用途に向いています。読出し時の電流が非常に小さいので、バッテリーで動作する小型機器では電池の寿命を延ばすことが期待できます。補聴器やスマートウォッチなど小型のウェアラブルデバイスに最適です。一方で、FeRAMの強みは、データの書換え保証回数が多いことです。最大100兆回のデータ書換えが可能なため、リアルタイムでデータを書き続ける用途に向いています。メーター、産業用ロボット、自動車での情報を記録するメモリとして採用されています。パッケージ」の4つの特長をもっています。超小型パッケージ2mm×3mm(11ピンWL-CSP)下記の表では、従来のメモリ製品との特長比較を示しています。ここでリストアップしているEEPROM、フラッシュメモリ、SRAMの3つの汎用メモリは、ReRAMでの置き換えが容易なメモリになります。ReRAMは、他のメモリと比べると読出し電流、書込み電流ともに少ないことが分かります。動作時の電源電圧も最低1.6Vから動作するため、動作時の消費電力を低く抑えることができます。電源がオフのときにデータ保持用バッテリーが必要なSRAMと比べると、不揮発性メモリのReRAMはバッテリーが要らないため、使い勝手が良いメモリです。これらの理由により、ReRAMは動作時の電力が少ないメモリと言えるので、低消費電力の点で優位性があるメモリと言えます。Package)です。配置しているため、実装面積が少なくて済みます。うえに実装面積も80%以上削減できます。SOPとWL-CSPの実装面積の比較ReRAMのピン配置と寸法(8M/12Mビット品は同一)低読出し電流ReRAMの読出し電流は、5MHz動作時で平均0.15mAです。