オンラインで購入できる書店です。ガリウム砒素(InGaAs/GaAs)円盤構造(量子ドット)を有する柱状構造(ナノピラー構造)を作製することに成功したと発表した。ナノ円盤構造の作製に成功した。ナノ円盤構造からの波長幅の広い発光を実現した。分子線エピタキシー法で作成される従来の量子ドットは,高いインジウム濃度(50%以上)でのみ量子ドットが形成できる。従来のドライエッチングでは,微細化に限界があるばかりではなく,脆弱な化合物半導体では激しく欠陥が生成されるため,発光効率が大きく劣化してしまうという問題点があった。nm間隔で配列した構造を実現した。ナノ円盤構造は,近年,注目されている低消費電力マイクロLEDや半導体レーザへの展開が期待される。