従来のメモリではスペック的に満足できず、性能の限界を感じている方には、FeRAMは最適な代替候補になる可能性があります。耐久性など、メモリに求められる様々な性能要件を高いレベルで実現しています。それに加えて、不揮発性も用意しています。バッテリー駆動時間の延長、高頻度のデータ書き換えなど、従来のメモリで性能的な壁に阻まれている方は、ぜひFeRAMの採用をご検討ください。既存メモリからの置き換えも容易EEPROMやSRAMと互換性1.高書換え耐性FeRAMは、最大100兆回の書き込み変換を保証しています。これは、1秒間100回書き込んでも理論上3000年以上の耐久性であり、一部の超高頻度書き込み変換が要求されるアプリケーション以外では実用的に無制限の書き込みが可能と言えます。約28時間ウェアレベリングが不要EEPROMやFLASHの書換え耐性上限を超える用途ではウェアレベリング(*)が一般的です。書換え耐性が高いことにより、高頻度で精度の高いデータを収集することが可能です。これまでは確認できなかった複雑なデータ曲線を知ることで、本当のデータの動きを確認することができます。高書換え耐性を活用したアプリケーションを見る2.高速書き込みFeRAMの書き込みに要する時間は1回の動作あたり約120nsです。これは、EEPROMの4万倍以上の速さになります。停電や瞬断時のデータも確実に記録可能EEPROMやFLASHの書換え耐性上限を超える用途ではウェアレベリングが一般的です。高速書込み特性を活用したアプリケーションを見る3.低消費電力FeRAMは以下の2点の理由により、他のメモリと比較して低消費電力を実現しています。40MHz)4.シンプルな書込み動作FeRAMは以下の2点の理由により、シンプルな書き込み動作を実現しています。ポリシーサイトマップ社名変更のお知らせ2025年1月より、富士通セミコンダクターメモリソリューションからRAMXEEDに社名を改称します。