nmのナノギャップ電極上に転写したボトムコンタクト構造において、面内分極を用いた新記録方式による不揮発性メモリを開発した。強誘電体メモリは電源を切ってもデータを保持できる不揮発性メモリとして、大きな注目を集めている。2次元(2D)ファンデルワールス(VdW)半導体材料のα相セレン化インジウム(α-In2Se3)は、原子スケールでの強誘電性や光電性、半導体性を有しているため、高速の不揮発性メモリ材料として理想的である。これまでのα-In2Se3メモリは、ギャップ長がマイクロメートルオーダーで、α-In2Se3上にソース/ドレイン電極を形成するトップコンタクト型であったため、チャネル部が面内分極反転する不揮発性α-In2Se3メモリは実現していなかった。nmのナノギャップからなるソース/ドレイン電極上にα-In2Se3を転写する、ボトムコンタクト型強誘電体メモリ構造を採用した。このメモリには、103に達するON/OFF比と、17時間以上のリテンション(データ保持時間)、1,200サイクル以上の耐久性があり、面内分極を利用した幅広い応用が可能であることが確かめられた。このナノチャネルボトムコンタクト型強誘電半導体α-In2Se3メモリでは、面内分極が横方向電界によって再配列するため、次世代のマルチレベルセル(MLC)に相当する様々な記憶状態が得られる可能性がある。ギャップ長を微細化したナノチャネル強誘電半導体メモリは、高密度な次世代不揮発性メモリとして、産業用途への応用が期待される。Science(Willey)のオンライン版へ8月11日(現地時間)に掲載された。