2024)を東京大学本郷キャンパスにて開催いたします。第23回スピントロニクス入門セミナーを神戸セミナーハウスにて開催いたします。Online講習を開催しました。ISLANDにて開催しました。2023年度報告会)を東北大学片平キャンパスにて開催しました。第27回「半導体スピン工学の基礎と応用」を東北大学片平キャンパスにて開催しました。Online講習を開催しました。–を東京大学本郷キャンパスにて開催しました。第22回スピントロニクス入門セミナーを慶應義塾大学矢上キャンパスにて開催しました。Online講習を開催しました。2022年度報告会)を京都大学宇治キャンパスにて開催しました。Online講習を開催しました。強的秩序とその操作に関わる第16回講演会をハイブリッド形式(東京大学武田ホール)で開催しました。ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構・d.lab・スピントロニクス学術連携研究教育センター合同シンポジウム「量子技術と半導体が拓く未来社会」を東京大学駒場リサーチキャンパスにて開催しました。–をハイブリッド形式(東京大学)で開催しました。第21回スピントロニクス入門セミナーをオンライン開催しました。Online講習を開催しました。第20回スピントロニクス入門セミナーをオンライン開催しました。2021年度報告会)をオンライン開催しました。Online講習を開催しました。第14回研究会をオンライン開催しました。第26回「半導体におけるスピン工学の基礎と応用」をオンライン開催しました。(EP2DS-24/MSS-20)をオンラインで開催しました。Online講習を開催しました。「高校生のための東京大学オープンキャンパス」にて、小林正起准教授が企画講演「X線で電子をみる!電子材料の謎解き」を行いました。工学部の実験室から中継し、講義に加えて、X線を用いて電子を調べる実験(光電子分光)を実演しました。日本物理学会第76回年次大会(2021年)領域4・1・3合同シンポジウム-スピントロニクスによる古典情報と量子情報科学技術の融合-をオンライン開催しました。「スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」2020年度年次報告会をオンラインで開催しました。Boschkerによるオンラインセミナーを開催しました。Online講習を開催しました。第19回スピントロニクス入門セミナーをオンライン開催しました。第12回講演会をオンライン開催しました。Normalをオンライン開催しました。第25回「半導体におけるスピン工学の基礎と応用」をオンライン開催しました。Online講習を開催しました。若手オンライン研究発表会を開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。第10回研究会を東京大学本郷キャンパスにて開催しました。電気通信研究所にて開催しました。「スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」シンポジウムを大阪大学豊中キャンパスにて開催しました。キャンパスにて開催しました。2019「スピントロニクス新機能物質と巨大物性応答」を東京大学本郷キャンパスにて開催しました。(宇治キャンパス)にて開催しました。領域3・5合同シンポジウム-次世代スピントロニクスに向けた軟X線放射光計測技術の発展-を岐阜大学(柳戸キャンパス)にて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。〜リサーチネットワークの形成に向けて〜」を東北大学さくらホール(片平キャンパス)にて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。2018年度成果報告会を大阪大学豊中キャンパスにて開催しました。第23回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会を東京工業大学にて開催しました。2018「スピン、ニューロモルフィック・コンピューティング」を東京大学本郷キャンパスにて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。東京大学・本郷キャンパスにて開催しました。program「散逸ゆらぎ制御ナノ電子フォトン国際研究拠点」と共催で東京大学本郷キャンパス小柴ホールにて、「散逸ゆらぎ制御ナノ電子フォトン国際ワークショップ」を開催しました。「スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」シンポジウムを東京大学・本郷/浅野キャンパス武田ホールにて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。第22回「スピン工学の基礎と応用」研究会を大阪大学にて開催しました。第16回スピントロニクス入門セミナーを筑波大学東京キャンパス文京校舎にて開催しました。2017「新しいスピントロニクス機能材料の開発とその物性制御」を東京大学本郷キャンパスにて開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。フランス・リヨンで開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナーを開催しました。Energy”を大阪千里阪急ホテルにて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。研究会を東北大学にて開催しました。九州大学にて開催しました。第21回「スピン工学の基礎と応用」研究会を北海道大学にて開催しました。(豊中キャンパス)にて開催しました。PASPS-9)を神戸国際会議場にて開催しました。キックオフシンポジウムを開催しました。キックオフシンポジウムを開催しました。「スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク拠点」および「スピントロニクス学術連携研究教育センター」の発足を機に、5月19日(木)東京大学・本郷/浅野キャンパス武田ホールにて、キックオフシンポジウムを開催いたしました。(CSRN))が発足しました。研究グループは、トポロジカル・ディラック半金属(TDS)α-Sn薄膜に集束イオンビームを照射することにより、超伝導体β-Snのナノ構造をα-Sn薄膜面内の任意位置に任意形状かつナノスケールで作り込む新しい作製技術を開発しました。α-Sn中のβ-Sn超伝導ナノ細線構造において、磁場を細線方向に印加すると超伝導電流が一方向しか流れない超伝導ダイオード効果を実現しました。α-Snが超伝導になることによる超伝導ダイオード効果の観測は世界初です。本研究で開発した新しい手法では超伝導体/トポロジカル材料からなる高品質ナノ構造を自在に作製できるため、さまざまな超伝導回路やエラー耐性が強いトポロジカル量子演算が可能な量子回路を実現する方法として期待されます。Communicationsで発表されました。―トポロジカル材料薄膜内に超伝導ナノ構造を形成する新手法の開発と超伝導ダイオード効果の発現―」がプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。2024年卒の金田(髙田)真悟博士が第37回独創性を拓く先端技術大賞(最優秀賞)文部科学大臣賞を受賞しました。育志賞を受賞しました。育志賞は、上皇陛下の天皇御即位20年に当たり、社会的に厳しい経済環境の中で、勉学や研究に励んでいる若手研究者を支援・奨励するための事業の資として、平成21年に上皇陛下から御下賜金を賜りました。顕彰することで、その勉学及び研究意欲を高め、若手研究者の養成を図ることを目的に平成22年度に創設したものです。今日の情報技術社会における情報量の急激な増大により、情報処理デバイスやメモリの消費電力は増加の一途を辿っており大きな問題となっています。そこで、電子のスピン(電子の磁石としての性質)を活用するスピントロニクスの研究が盛んに行われています。一般にスピントロニクスデバイスは、強磁性体(磁石)の磁化の向き(NSの向き)を用いて情報の”0”と”1”を記録するため、電源を消しても情報が保持され、消費電力を大幅に低減できるものと期待されています。最近は、電子のスピンの流れであるスピン流と、電子の電荷の流れである電流の相互変換現象に着目したデバイスが考案されています。この「スピン流-電流相互変換」の効率が高いほど、より低い電力でのデバイス動作が可能となると考えられています。本研究では、ペロブスカイト酸化物LaTiO3+δ/SrTiO3界面に形成される二次元電子ガスを用いて、従来様々な材料系で報告されてきた中でも最も高効率のスピン流-電流相互変換を実現することに成功しました。理論計算により高いスピン流-電流相互変換効率を得るための材料設計指針を示しました。超低消費電力メモリの実現に向けた強磁性体および新規物理現象の探索を行い、デバイスの実現に向けた新たな指針を示すことができました。(研究当時)、レデゥックアイン准教授および田中雅明教授の研究グループは、すべて半導体でできた非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga,Fe)Sbからなる二層ヘテロ接合を作製し、非磁性半導体の中で界面の磁気結合による巨大なスピン分裂を観測しました。meVに達し、同研究グループの先行研究と比べて4倍以上大きな値となっています。nm)を積層した二層のヘテロ接合です。このヘテロ接合をトランジスタに加工しゲート電圧を印加することでInAs中の電子とGaFeSbの磁性との結合強度を増減し、非磁性InAsの電子状態におけるスピン分裂を誘起し変調できることを示しました。Physics」のオンライン版に掲載されました。プレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。大阪大学との共同研究により、従来の第一原理計算では困難であった「有限温度における電気伝導特性」が予測可能な新しい第一原理計算手法の開発に成功しました。それにより30年もの間未解明であった、強磁性半導体(Ga,Mn)Asの電気伝導特性が特異な温度依存性を示す原因を新手法を駆使して明らかにしました。今回開発された新手法は強磁性半導体以外の材料系にも適用することができるため、あらゆる分野において材料開発の時間短縮や低コスト化に貢献することが期待されます。Materials」に掲載されました。東京大学からプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。日本社会と両国間の友好協力関係の懸け橋となっている。SPring-8よりプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。Materials」に掲載されました。らが、スピントランジスタの基本となる横型2端子スピンバルブ素子を単結晶酸化物を用いて作製し、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比とゲート電圧による電流変調に成功しました。Materials」に掲載されました。受賞記念講演を行いました。)」に基づくものです。発見した研究成果が、東京大学および科学技術振興機構よりプレスリリースされ、いくつかのマスコミで報道されました。千葉貴裕講師と共同で、非磁性半導体(InAs)/強磁性半導体(GaFeSb)からなる二層ヘテロ接合を作製し、奇関数磁気抵抗を示す新しい電子伝導現象を発見しました。Communications」のオンライン版に掲載されました。この新しい奇関数磁気抵抗は、非磁性半導体層の側面(エッジ)に形成される一次元伝導チャネルにおいて発生し、1試料端(側面)の表面ポテンシャルによる「空間反転対称性の破れ」と2隣接する強磁性半導体からの磁気近接効果による「時間反転対称性の破れ」が同時に存在することに起因していることが判明しました。この現象は、対称性の破れによる巨大電磁気応答がエレクトロニクスに整合性の良い半導体ヘテロ接合で現れたことに意義があり、高感度磁気センサなど次世代のスピントロニクスや量子デバイスに応用可能と考えられます。Communications」のオンライン版に掲載されました。)、東北大学の組頭広志教授らが、ペロブスカイト酸化物ヘテロ構造を用いて世界最高効率のスピン流電流変換を実現しました。Communications」に掲載されました。プレスリリースが行われ、いくつかのマスコミで報道されました。Awardを受賞しました。共同研究グループは、窒化物結晶を用いて超伝導体と半導体の高品質接合を作製することに成功しました。Interface」オンライン版に9月22日(日本時間)に掲載されました。英語講演奨励賞を受賞しました。