(東工大)は、パルス状の逆電圧を印加するという電気的な手法を用い、ホットキャリア注入現象により劣化したトランジスタの性能を回復させる技術を開発したと発表した。理工学研究科の松澤昭教授と岡田健一准教授らによるもの。2015)」にて発表される。これまで、製品出荷後のトランジスタはホットキャリア注入により経時的に劣化が進み、それが製品寿命を決める主要因の1つだった。劣化を高温ベークにより回復する方法はあったが、専用の装置が必要だった。これに対し、新技術は回路に組み込むだけで性能を回復できる。今回、回復機構を組み込んだミリ波帯無線機を、最小配線半ピッチ65nmのシリコンCMOSプロセスで試作し、出力電力の回復を確認したという。同技術が実用化されれば、半導体集積回路の製品寿命を自由に調整することができるようになるとコメントしている。逆バイアス印加によるホットキャリア注入ダメージの回復。ドレインおよびゲート端子を接地し、基板電位を瞬間的に上げることで、トラップされたキャリアを抜き、ホットキャリア注入ダメージを回復するホットキャリア注入ダメージ回復が可能な60GHz無線機のブロック図。healing)を組み込んだ60GHz帯無線機チップ写真と各部の面積。掲載時点の情報であり、最新のものとは異なる場合があります。ホットキャリアによりトランジスタ性能を回復する技術を開発このカテゴリーについてインテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。Corporation。