2023年9月SiCのフランク型積層欠陥連載(4)をアップロードしました。2023-09-25松畑洋文4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして解説を書いています。「キロワット」と「キロワット時」第3回をアップしました。“「キロワット」で示されている電力と「キロワット時」で示されているいる電力量を混同してはいけません”、という話の第3回目です。ついての意識の高まりや、東日本大震災に伴う原子力発電所での事故、電力市場の自由化、などに伴い日本の電力ネットワークに大きな変化が生じています。→uncategorizedSiCのフランク型積層欠陥連載(3)をアップロードしました。2023-09-04松畑洋文4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。×CLOSECLOSEこれはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。