2023年8月SiCのフランク型積層欠陥連載(2)をアップロードしました。2023-08-16松畑洋文4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価や4H-SiCの結晶構造に興味を持つ人を対象にして書いています。詳細な内容を、冗長な文章で記述しています。解説SiCのフランク型積層欠陥連載(1)をアップロードしました。2023-08-01松畑洋文4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。×CLOSECLOSEこれはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。