増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(10)をアップロードしました。2024-06-15松畑洋文REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを考察しています。REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを連載(8)以降で考察しています。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(9)をアップロードしました。連載(6),(7)では、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを整理しました。FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。×CLOSECLOSEこれはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。