増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(8)をアップロードしました。連載(8)では、基板中に存在していた基底面転位が、ドリフト層中へ少しだけ入り込んでしまった場合、どのような形状のショックレー型積層欠陥が成長するかを考察しました。前回までに、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを考察しました。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(7)をアップロードしました。連載(6)から、n–ドリフト層中に侵入してくる基底面転位にはどのようなものがあるのかを考察しています。4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を続けると、on抵抗が徐々に増大する現象、”順方向特性劣化”が発生することがあります。FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。×CLOSECLOSEこれはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。