「キロワット」と「キロワット時」第4回をアップしました。「キロワット」と「キロワット時」第4回(最終回)をアップしました。〜2024-04-19奥村元この連載では、昨今世間で議論になる電力エネルギーの過不足に関する話題を取り上げ、kWとkWhの混同に起因する誤解を紹介してきた。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(6)をアップロードしました。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化”の連載の6回目をアップロードしました。4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を繰り返すと、on抵抗が増大する現象、”特性劣化”が発生することがあります。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(5)をアップロードしました。する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の5回目をアップロードしました。4H-SiCのMOSFETのon-offを繰り返していくと発生することがある特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して、この解説の連載を書いています。FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。×CLOSECLOSEこれはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。