当セミナーの募集は終了いたしました。定員を超えるお申し込みをいただき、誠にありがとうございました。今後もセミナー開催を検討しておりますので、どうぞご期待ください。100名(定員に達した時点で、受付を終了させて頂きます。下記のボタンをクリックし、専用フォームよりお申し込みください。各担当営業でもお申し込みの受付をさせて頂いております。代表的なSiパワーデバイスの一つであり、近年の注目が大きいIGBTでは、従来のライフタイムキラーに代わってスイッチング特性を改善する構造が実現し、むしろON抵抗低減のために高いライフタイムが求めれる。コスト低減の要求から従来のFZに代わって直径300mmのCz基板の利用が増え、製造プロセス時の軽元素の挙動と、そのライフタイムに与える影響を精査し、制御する必要性が高まっている。幅広い耐圧系に向けて開発を進めている。SiCのさらなる適用拡大に向けては信頼性の向上が課題の一つとされており、例えばMOSFETのバイポーラー通電劣化の問題が知られている。本講演では、このバイポーラー通電劣化を始めとする信頼性課題に対する当社の取組みを紹介する。3『SiCバルク単結晶およびエピ成長技術について』カーボンニュートラル社会は,電力化,電化が普及した社会であり,その根底を支える電力エネルギーをつかさどるパワー半導体は,その重要性が増している。自動車応用を中心に大きな期待を集めているSiCは、ウェハに大きな課題があるといわれている。ここでは、バルク単結晶およびエピ成長技術について製造技術の視点で、評価技術およびデバイス技術との関係に触れながら紹介する。Najbauer注)都合により内容の変更がある場合がございます。