独創的なプラズマ生成構造による多様な半導体薄膜形成用プラズマプロセス装置を紹介します!プラズマ生成源と薄膜形成空間を最適融合することにより、新たな薄膜形成環境を構成することができます。圧力勾配式スパッタ法を採用し、従来スパッタ法に比べて膜質・ダメージ・成膜速度などの優れた特徴を得ることができます。圧力勾配式スパッタ法を採用し、従来スパッタ法に比べて膜質・ダメージ・成膜速度などの優れた特徴を得ることができます。研究開発用スパッタカソード圧力勾配スパッタに対応した超高真空対応のスパッタカソードです。規格フランジに対応し、ご使用の装置に容易に接続することができます。Info1~4インチに対応しています。シャッター付ガス導入ポート付きICFフランジマウント構造プラズマクラッキングカルコゲン材料など高蒸気圧・活性化しにくい材料を、安定蒸発させ粒子の活性化を促進させる蒸発源です。酸素プラズマ源を備えたALD処理室とプラズマCVD室により構成される複合装置です。Info基板は準備室よりALD室及びプラズマCVD室に真空一貫で搬送することができます。