イメージング法(ストレスモニター)偏光赤外イメージング法(ストレスモニター)偏光応力イメージング(PSI)技術は、シリコンウェハーや、ウェハー状態になる前のシリコン小片を、IR光の偏光解消度の測定に基づいて分類するのに適しています。最終的な応力画像の解像度は、直径300mmのウェハーで最大36メガピクセルです(ピクセルスケールが50μmの場合)。測定原理は、イメージングシステムによる偏光解消度の検出です。IR源からの光がポラライザーを介してシリコンサンプルに投影されます。その後、光がシリコンウェハーを通過します。ウェハーの下側には、別のポラライザー(アナライザー)が最初のポラライザーに垂直に配置されます。ウェハーの応力場によって生じる偏光解消度信号がカメラで検出されます。表面パーティクルも、光散乱の増加によって偏光を解消します。サンプルの両面でこれらのパーティクルを検出するために、別々の光学的設定/装置が使用され、これが本体に組み込まれています。測定の評価:画像を平行ポラライザーで取得。光強度:Pp(平行)画像を交差ポラライザーで取得。偏光解消度は無次元量です。Dは小さな値であるため(Pp>>Pc)、通常はDU(偏光解消度単位)で表されます(1DU=10-6)。偏光解消度は透過波のリタデーションに関連しているため、応力-光学法で表される応力に比例します。ベアシリコンウェハーの場合、透過光は通常、平行ポラライザーではウェハー上で一様であり、偏光解消度の計算は不要です。欠陥の自動検出の場合は、交差ポラライザーの画像取得で十分です。エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。スリップラインを高精度で検出します。