医療・生体イメージング技術であるOCT(光コヒーレンストモグラフィー)の高性能化に寄与する近赤外波長の広帯域光源を、半導体量子ドット(QD)を用いて実現することを目標とした。用いたInAs-QDの成長により、中心波長が異なる4種類のQDをモノリシックに成長させることに成功した。発光波長1.3μm帯において中心波長が40nmずつ均等にシフトされた4色のQDにより、基底準位間(GS)発光のみで帯域約160nmを得た。強励起下では励起準位間(ES)発光が寄与するため、SLD素子においては帯域200~300nmが期待できる。この結果から、分解能数μm程度の高解像度OCTに資する光源が開発可能であることが示された。