プロセスモニタリングに役立つ技術です。マイクロ波誘導フォトコンダクタンス減衰法は、シリコンの少数キャリア・ライフタイムを測定する最も一般的な方法です。この方法は高い信頼性と再現性を誇り、短い測定時間で高分解能のライフタイムマップが作成できます。汚染物質の頻発とそのライフタイムにより、効率が損なわれます。強Fe、Pt、Cu中Pd弱Mo、WごくわずかCa、Al、Zn、Ti汚染物質は、ライフタイム(あるいは拡散長)への影響が異なる2つの分子状態で存在する可能性があります。汚染物質の状態を変化させることによって生じるライフタイムの変化で、その汚染物質の量を測定します。定数は経験的に導かれる汚染物質がライフタイムに与える影響は注入レベルによって異なる場合がある変化はμ-PCD法またはSPV法で検出できるμ-PCD法シリコン太陽電池や半導体デバイス製造で使用されるキャリア再結合特性と欠陥のメトロロジーであり、キャリアを生成するレーザー光のパルスに基づいています。励起されたキャリアが半導体の導電性を変えます。マイクロ波反射は導電性の変化による影響を受け、測定される信号によって導電性の減衰が示されます。このモニタリングの対象は、バルクライフタイムパラメータです。このパラメータにより、汚染(コンタミネーション)と転位に関する情報が得られるからです。多結晶シリコンにおける結晶度の役割:異なる粒子で異なるライフタイムを観察できる準定常状態マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰セミラボが開発した新たなライフタイム測定技術は、「QDCによるQSS-μPCD」と呼ばれます。「減衰品質管理による準定常状態マイクロ波(検出)フォトコンダクタンス減衰」です。この新技術により、測定精度が向上し、新機能が提供され、対応するアプリケーションが広がります。パラメータなしで自己無撞着的に決定できます。これが、太陽電池に重要なキャリア再結合パラメータを広範囲の定常照明にわたって決定するためのベースとなります。この手法は、ウェハーマッピングに関するμ-PCD独自の利点も保持しています。QSS-μPCD法では、減衰ライフタイム測定は、微小摂動の過渡条件を定常状態条件に課して行われます。定常状態条件を実現するために、定常光をオンにします。次に、短レーザーパルスによって追加の自由キャリアが生成され、その減衰をモニターして減衰時定数が求められます。レーザーの励起は、微小摂動の条件が適切に満たされている場合、定常状態のキャリアの励起より小さくなります。WT-1200A少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。(μPCDキャリアライフタイム)WT-2000は、μ-PCD法による少数キャリアのライフタイム測定装置です。ウェハーの品質管理や研究開発用途にご使用頂けます。