電気抵抗率のバラつきを低減するために、成膜後にも電気抵抗を調整可能な酸化物半導体膜を提供することを目的とする。成膜することを特徴とする酸化物半導体膜の製造方法。前記基板として、成膜面の面積が100mm2以上のものを用いることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の酸化物半導体膜の製造方法。酸化物半導体膜の製造方法に関する。epitaxy:MBE)、スパッタリング法等の非平衡状態を実現できる高真空成膜装置が開発されており、これまでの融液法等では作製不可能であった酸化物半導体の作製が可能となってきた。以下、「ミストCVD法」ともいう。)が開発され、コランダム構造を有する酸化ガリウム(α-Ga2O3)の作製が可能となってきた。高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子への応用が期待されている。【0003】ミストCVD法に関して、特許文献1には、管状炉型のミストCVD装置が記載されている。特許文献2には、ファインチャネル型のミストCVD装置が記載されている。特許文献3には、リニアソース型のミストCVD装置が記載されている。特許文献4には、管状炉のミストCVD装置が記載されており、特許文献1に記載のミストCVD装置とは、ミスト発生器内にキャリアガスを導入する点で異なっている。特許文献5には、ミスト発生器の上方に基板を設置し、さらにサセプタがホットプレート上に備え付けられた回転ステージであるミストCVD装置が記載されている。α-Ga2O3のような酸化物半導体膜を半導体装置として利用するためには、電気抵抗の制御が重要である。ミストCVD法で厚膜を得ようとすると、スループットとの兼ね合いから細かい制御が難しく、得られる膜の電気抵抗率に少なからずバラつきが生じていた。この結果、得られる半導体装置の特性にバラつきが生じる一因となっていた。【0007】また、特許文献6の実施例に開示されている方法は原料溶液中へのスズの混合量が多いため、スズが結晶格子間に取り込まれるなどして、得られた膜の結晶性が悪くなってしまうという問題もあった。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、成膜後にも電気抵抗率を調整可能な酸化物半導体膜及び該酸化物半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。提供することを目的とする。本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、ガリウムを主成分とする酸化物半導体膜であって、ドーパント元素と、金属として少なくともガリウムを含み、膜厚が1μm以上であり、熱処理されることで電気抵抗率が上昇するものである酸化物半導体膜を提供する。【0010】このような酸化物半導体膜によれば、簡便に、また、確実に電気抵抗率の調整が可能なものとなる。chizai-watch.com当サービスで使用しているコンテンツ・画像の著作権は各々の作者に帰属します。