東大、省電力性能高いキャッシュメモリを実現するノーマリーオフ技術を開発。従来比で消費電力10分の1以下を達成。いキャッシュメモリを実現するノーマリーオフ技術を開発。従来比で消費電力10分の1以下を達成。いキャッシュメモリを実現するノーマリーオフ技術を開発。従来比で消費電力10分の1以下を達成。い省電力性能を有するキャッシュメモリを不揮発性メモリで実現するためのノーマリーオフ技術を開発。■不揮発性メモリをキャッシュメモリとして高速に動作させる場合にはメモリ制御回路部の消費電力が大きくなる。メモリ制御回路部の電源供給を遮断するノーマリーオフ技術を新規に開発することでこの問題を解決。■キャッシュメモリは、スマートフォンからデータセンタサーバまで、幅広い情報機器の半導体で用いられている。開発された技術はこれらの情報機器の消費電力を低減し、社会全体の省エネルギーに寄与する。キャッシュメモリとして利用されている揮発性メモリ(SRAM)は、データ保持のために電力を消費するが、搭載されるメモリ素子の微細化とメモリ容量の増大に伴い、この電力は増大する。そのため、データ保持のための電力を消費しない不揮発性メモリを採用することへの期待が高まっている。ノーマリーオフ(注1)技術を新規に開発することでこの問題を解決した。電源供給を遮断するとメモリアクセスができなくなるが、電源供給をより長く遮断することで消費電力をより削減できる。スがしばらくないと判断したら即座に電源を遮断しメモリ制御回路部のノーマリーオフ動作(図3)を実現する。ンジスタに混載した4Mbクラスの磁性体メモリSTT-MRAM(注2)回路に適用した(図1)。リ(SRAM)を用いたキャッシュメモリと比較して消費電力が1/10以下となった(図2)。この研究成果により、幅広い情報機器の消費電力を低減し、社会全体の省エネルギー化が期待できる。今回開発されたノーマリーオフ技術は、東芝と共同で、NEDOノーマリーオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクト(注3)として進められている。省エネルギー化を目指す。(ISSCC)にて、2016年2月2日(現地時間)に発表される。(注1)ノーマリーオフシステム内の真に動作すべき構成要素以外の電源を積極的に遮断することで低電力化を目指すこと。ンピューティング技術の両方が必要となる。このスピン注入磁化反転方式を磁気情報書き込みに応用したランダムアクセスメモリ。(TOSHIBA)・NEDOノーマリーオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクト無料メルマガ会員に登録しませんか?膨大な記事を効率よくチェック!IoTNEWSは、毎日10-20本の新着ニュースを公開しております。デジタル社会に必要な視点を養う、DIGITIDEという特集コンテンツも毎日投稿しております。そこで、週一回配信される、無料のメールマガジン会員になっていただくと、記事一覧やオリジナルコンテンツの情報が取得可能となります。業務改革に必要なDX手法などDXノウハウなど、多岐にわたるテーマが配信されております。無料メルマガ会員になると、会員限定のコンテンツも読むことができます。無料メールから、気になるテーマの記事だけをピックアップして読んでいただけます。無料のメールマガジンを購読して、貴社の取り組みに役立ててください。無料メルマガ会員登録IoTNEWS編集部IoTに関する様々な情報を取材し、皆様にお届けいたします。GeneratePress。